Cтраница 2
Твердые схемы делятся на два больших класса: интегральные и функциональные. [16]
Твердая схема Р12 - 2 относится к классу твердых схем с непосредственными связями. КЭАТС-100 построена на основе этой схемы, поэтому следует изучить ее параметры. При этом надо иметь в виду, что полученные основные соотношения могут быть распространены практически на весь класс схем с непосредственными связями. Ряд соотношений для статических параметров этих схем дан в [21], но там не освещены такие важные вопросы, как выбор оптимальной величины напряжения питания при заданной потребляемой мощности, сравнительная оценка разбросов входной характеристики и сопротивления нагрузки, введение необходимых запасов, исходя из условий работы твердых схем в составе крупных блоков, и ряд других. [17]
Монолитная твердая схема содержит только одну полупроводниковую пластинку, а многопластинчатая содержит несколько полупроводниковых пластин в одном корпусе. Выбор типа схемы определяется в первую очередь уровнем развития технологии. [18]
Твердой схемой называется устройство, состоящее из одного кристалла полупроводника, выполняющего функции нескольких активных и пассивных элементов схемы без внешних соединений. [19]
Твердой схемой называется устройство, состоящее из одного кристалла полупроводника, в котором сформировано несколько активных и пассивных элементов схемы без внешних соединений. При разработке радиоэлектронной аппаратуры на основе твердых схем электронные узлы получают путем создания в полупроводниковой пластине участков, которые по своим свойствам эквивалентны пассивным или активным элементам, а в совокупности выполняют функции, аналогичные электронным схемам. [20]
Все остальные твердые схемы открыты по всем входам, к которым приложено напряжение UQO. [21]
Параметры твердой схемы Р12 - 2 можно разделить на две группы: основные и электрические. [22]
Для твердых схем с непосредственными связями кратковременную внутреннюю память можно заменить вспомогательным триггером, в результате чего внутренняя память становится неограниченной. [23]
Построение твердых схем не ограничивается использованием только полупроводниковых материалов. Возможно построение функциональных твердых схем и даже целых устройств, состоящих из различных слоев: электролюминесцентных, магнитострикционных, электро-стрикционных, ферромагнитных, ферроэлектрических, термоэлектрических и других материалов. В настоящее время главным образом ведется разработка полупроводниковых твердых схем. [24]
![]() |
Параметры приемника ARC-63. [25] |
Для твердых схем более существенным оказывается другое ограничение, обусловленное наличием в одной схеме большого числа элементов. [26]
Сопоставление твердых схем с обычными схемами возможно только путем сравнения их с помощью эквивалентных схем, составленных по выполняемым ими функциям. [27]
Монтаж твердых схем без применения проволочных выводов является одним из самых перспективных методов монтажа. [28]
Построение твердых схем, к-рые л зарубежной печати часто паз. Возможно построение твердых схем с использованием электролюминесцентных, магпито-с грикционных, эдектрострикциошшх, ферромагнитных, ферроэлектрич. [29]
Построение твердых схем, к-рые в зарубежной печати часто наз. Возможно построение твердых схем с использованием электро люминесцентных, магнито-стрикциоиных, электрострикционных, ферромагнитных, ферроэлектрич. [30]