Внедрение - примесный атом
Cтраница 1
Внедрение примесных атомов в кристаллическую решетку может, в частности, совершаться в результате ядерных превращений, происходящих в кристалле. Такие превращения, сопровождающиеся изменением порядкового номера атома, происходят либо в результате самопроизвольного распада, либо индуцируются корпускулярным или электромагнитным облучением. За исключением реакции деления тяжелых ядер под действием нейтронов ядерные взаимодействия с частицами малых и средних энергий ( не более 10 МэВ) не ведут к образованию продуктов, отличающихся по порядковому номеру от вещества мишени больше, чем на две единицы. При облучении частицами больших энергий ( свыше 100 МэВ) возможно образование ядер, весьма далеких по заряду и масс от ядер мишени. Наряду со стабильными при этих взаимодействиях возникает значительное количество радиоактивных ядер. [1]
 |
Состояние кристалла простого вещества, содержащего примесные доноры, после закалки до Т 0. Состояние кристалла при высокой температуре соответствует, а. [2] |
Поскольку механизм внедрения примесных атомов определяется типом собственного разупорядочения, а последний в кристалле простого вещества более или менее постоянен, то механизм внедрения для данного вещества также фиксирован. Единственным фактором, который может вызвать его изменение, является температура. Как будет показано в дальнейшем, это утверждение справедливо лишь тогда, когда в системе имеются примесные дефекты только одного типа. При наличии примесных атомов разных типов атомы одного из них могут влиять на механизм внедрения атомов другого. [3]
В соответствии с этим изменяется и механизм внедрения примесного атома. Ниже рассмотрены некоторые частные случаи. PbS, легированного Ag или Bi, когда / Cj K s и донор-ные и акцепторные уровни залегают неглубоко, так что практически полная ионизация доноров и акцепторов достигается даже при комнатной температуре. [4]
Существование такой области должно иметь важные последствия для внедрения примесных атомов в сульфид цинка при нейтральных условиях. [5]
Из теории статических искажений, изложенной в § 38, следует, что внедрение примесных атомов приводит к смещениям атомов растворителя из узлов средней решетки. Что же касается атомов внедрения, то они остаются в своих междоузлиях. [6]
В области, где примесные атомы входят в приближение условия электронейтральности ( область II), механизм внедрения примесных атомов определяется противоположно заряженными собственными дефектами, выступающими в упрощенном условии электронейтральности для чистого кристалла. [7]
К такому же эффекту приводит скопление дислокаций на отдельных участках поверхности. При внедрении примесных атомов в кристаллическую решетку в ней возникают механические напряжения, вызванные различием атомных радиусов примесного элемента и полупроводника. Напряжения, обусловленные сжатием или растяжением решетки, могут оказаться достаточными для ее пластической деформации и генерации дислокаций. [8]
При неполной ионизации примесных центров Хд зависит от темп-ры. Исследования % s позволяют судить о механизме внедрения примесных атомов в кристаллич. [9]
Во внешних областях ( I, IV) отклонение от стехиометрии влияет сильнее, чем примесные атомы, тем не менее механизм внедрения смежных областей ( II, III) при этом сохраняется. Заметим, что, как и раньше, механизм внедрения примесного атома определяется заряженными собственными дефектами, доминирующими в уравнении нейтральности чистого основного кристалла, причем дефекты, имеющие заряд, противоположный заряду примесного атома, входят в приближенное уравнение нейтральности легированного кристалла. [10]
В заключение этого раздела необходимо сделать замечание, касающееся способа записи реакции внедрения примесных атомов. Когда изучают состояние полного равновесия и принимают во внимание все возможные реакции и формы нахождения атомов примеси, вопрос о том, какое соотношение выбрать для описания перехода атомов примеси из одной фазы в другую, несуществен. Если выбранное соотношение не соответствует преобладающему способу внедрения, то это выяснится в результате расчетов и не повлияет на конечный результат. Иногда предпочитают учитывать только доминирующую форму нахождения атомов примеси в кристалле, отождествляя концентрацию примеси с концентрацией этих центров, и пренебрегают всеми другими формами, составляющими небольшую часть от общего числа примесных атомов. В этом случае переход примеси из одной фазы в другую необходимо, очевидно, записывать через основные примесные дефекты. [11]
Естественно возникает вопрос: в чем причина такого различия. Или, формулируя задачу в более общей форме, какие факторы определяют механизм внедрения примесных атомов. Наиболее просто ответ на этот вопрос можно получить из рассмотрения процесса растворения атомов примеси при постоянной температуре. [12]
Можно ожидать, что для CdO и CdSe, а также соответствующих соединений цинка результаты окажутся такими же, как и для CdTe и CdS. Однако не исключено, что с увеличением ширины запрещенной зоны при переходе от соединений кадмия к соединениям цинка Ks или / F ( или, если происходит двукратная ионизация, / Cs или KF) станут больше / G и соответственно этому изменится механизм внедрения примесных атомов. [13]
Примеси являются одним из наиболее важных и распространенных дефектов решетки реальных кристаллов. Примеси могут находиться в кристалле в растворенном состоянии или в виде включений. Процесс растворения заключается во внедрении примесных атомов в промежутки между атомами кристалла или замещении части атомов в узлах решетки. В первом случае твердый раствор называют раствором внедрения, во втором случае - раствором замещения. [14]
Страницы: 1