Cтраница 1
Внедрение постороннего атома вызывает деформацию решетки. Наиболее устойчивыми позициями внедрения являются те, при которых энергия деформации наименьшая. На рис. 15.12 внедренный атом в указанной позиции изображен черным кружком. [1]
Такие структуры обычно образуются путем внедрения посторонних атомов с малым диаметром между атомами основной решетки и весьма характерны для соединений переходных металлов с некоторыми легкими элементами: Н, В, С, N, О. Поэтому в фазах внедрения атомы металла имеют одну из типичных металлических решеток: гексагональную, кубическую гранецентрированную или объемно-центрированную. [2]
Вследствие относительной малости радиусов частиц внедрение посторонних атомов в этом случае не приводит к значительному изменению структуры и свойств твердого вещества, а лишь к более или менее высокому содержанию газов ( гелий или водород) в твердом теле. Так, общеизвестно, что урановые и ториевые минералы содержат гелий, и это обстоятельство используется, в частности, для оценки возраста минералов. В условиях равновесия урана и тория с их продуктами распада на один распадающийся атом урана I образуется восемь а-частиц, а на один атом тория шесть а-частиц. В этих условиях в 1 г урана за 1 сек образуется около 100 000 атомов гелия, в 1 г тория - около V3 этой величины. [3]
Если твердый раствор образуется по принципу внедрения посторонних атомов в междоузлия основной кристаллической решетки ( например, раствор углерода в железе), то диффузия этих атомов осуществляется, очевидно, лишь одним из рассмотренных выше механизмов самодиффузии, именно путем перемещения по междоузлиям. [4]
На рис. 261, в показан случай внедрения постороннего атома. Как правило, внедренные атомы имеют размеры меньше, чем атомы основного вещества. [5]
Известно, что внедрение посторонних атомов или молекул - в кристаллическую решетку вещества приводит к искажению решетки, к появлению внутренних напряжений и, в соответствии с общими закономерностями физики твердого тела, изменяет физико-механические характеристики материала. В частности, увеличивается его жесткость и прочность. [6]
Графит непроницаем и химически не взаимодействует с любыми веществами, воздействующими на него перпендикулярно С-атом-ным сеткам, но в направлении, параллельном С-атомным сеткам, он не может противостоять внедрению многих веществ в его межплоскостное ( межбазисное) пространство. При этом происходит увеличение расстояния между плоскостями ( за счет внедрения посторонних атомов или их групп), что иногда называют набуханием. Подобное явление сопровождается в зависимости от природы вещества или увеличением, или снижением электрического сопротивления. При действии на графит горячей смеси серной и азотной кислот образуется бисульфат графита С32 HS04 - синий графит. Ионы HS04 внедряются в межбазисное пространство и раздвигают его, увеличивая расстояние между плоскостями до 7 98 А. С-атомные плоскости при этом остаются без изменений. Поскольку ион HS04 приходится на 32 атома углерода, валентные электроны С-атомов в сетках не закрепляются и электропроводность синего графита сохраняется. [7]
Разрушение пленок зависит от схемы деформации и температуры сварки, а также от свойств металла и пленки. При сварке трением преобладает сдирание пленок, при холодной сварке - их разобщение и внедрение посторонних атомов, при горячей сварке, наряду с разобщением, отмечается диффузия посторонних атомов в металл. [8]
Выше было рассмотрено искажение кристаллической решетки за счет ее деформации. Однако с точки зрения удельного электросопротивления совершенно безразлично, в силу какой причины - деформации или внедрения посторонних атомов примесей - происходит искажение кристаллической решетки. Поэтому таким же образом, как было рассмотрено выше, можно произвести контроль содержания примесей в материале исследуемого изделия. [9]