Микроэлектронная схема

Cтраница 3

Цифровой принцип построения радиоэлектронной аппаратуры позволяет обойти еще одну трудность, связанную с использованием микроэлектронных схем. При конструировании микросхем весьма трудно изготовить индуктивные и емкостные элементы. Использование же узлов и блоков, построенных на цифровом принципе и содержащих только резисторы, диоды и транзисторы, дает возможность избежать применения индуктивных и емкостных элементов. [31]

КМОП-структура [ CMOS, Complementary Metal-Oxide-Semiconductor ] - усовершенствованная ( комплиментарная) структура построения микроэлектронных схем на трехслойной ( МОП) основе метал-окисел-полупроводник. [32]

Самое удивительное то, что длина волны обычного света оказывается слишком большой для производства некоторых микроэлектронных схем. [33]

Большое внимание уделяется проблеме создания надежных цифровых датчиков, в которых объединены полупроводниковые чувствительные элементы с микроэлектронными схемами. [34]

В ЦВМ, построенных на дискретных радиокомпонентах, используются импульсно-потенциальные и потенциальные системы элементов, а в ЦВМ на интегральных микроэлектронных схемах - главным образом потенциальные системы элементов. Импульсные элементы из-за указанных выше недостатков не находят применения в современных вычислительных машинах и поэтому не будут рассматриваться в последующих параграфах. [35]

В учебнике рассмотрены вопросы происхождения сигналов через различные электронные цепи; методы анализа электронных цепей; усиление, генерирование и преобразование сигналов; схемотехника микроэлектронных схем; основные элементы аналоговой и цифровой микросхемотехники. [36]

Полагает и новую строительную технологию, позволяющую лучше сохранить тепло в домах, и применение более рациональных, альтернативных материалов, и управление с помощью микроэлектронных схем. Тот факт, что микроэлектроника незаменима при экономном управлении энерготех-иическими процессами, показывает, что новые технологии способствуют сохранению окружающей среды и сбережению природных ресурсов. Ослабить вредное воздействие на окружающую среду мы можем не за счет отказаоттехники алишьсее помощью. Важно формировать развитие технологий, обеспечивающих прямое получение электроэнергии или водорода с помощью солнечной энергии. [37]

Поскольку измерительные органы состоят из функционально законченных элементов, которые достаточно подробно рассмотрены в предыдущих главах, для пояснения принципов их действия и выполнения на микроэлектронных схемах ниже приводятся в основном их функциональные схемы. [38]

Накопитель Р421 ( ТУ 25 - 01.921 - 78) предназначен для использования в периферийных вычислительных комплексах М-5010, М-5100, вычислительных комплексах агрегатной системы средств вычислительной техники на основе микроэлектронных схем ( АСВТ-М), а также в средствах сбора и обработки информации в качестве периферийных устройств, выполняющих запись, хранение и воспроизведение информации. [39]

Интегральные ( твердые) схемы находятся на стадии интенсивной разработки, так же как и машины, построенные на их основе, но уже серийно выпускаются элементы, являющиеся промежуточными между дискретными и микроэлектронными схемами. [40]

Условные обозначения полевых транзисторов.| Приближенная эквивалентная. [41]

В настоящее время их технология недостаточно совершенна и не позволяет получать приборы с высокостабильными характеристиками, но в связи с большими усилиями, прилагаемыми в направлении миниатюризации, в том числе по созданию пленочных схем, можно предполагать, что пленочные полевые транзисторы станут перспективным элементом интегральных микроэлектронных схем. [42]

Развитие пленарной технологии привело к созданию полупроводниковых структур типа металл - диэлектрик - полупроводник ( МДП) и изготовлению на их основе целого класса удобных для физических исследований систем, а также приборов как дискретного, так и интегрального типа с весьма высокими парамет-рамш В настоящее время не только в интегральных микроэлектронных схемах, но и в дискретных приборах в подавляющем большинстве случаев используются именно пленарные структуры диэлектрик - полупроводник, металл - диэлектрик - полупроводник или еще более сложные слоистые системы. [43]

Для того чтобы обеспечить правильный тепловой режим элементов схемы, рассеиваемая в ней мощность должна быть мала. Обычно микроэлектронные схемы рассчитывают так, чтобы рассеиваемая в них мощность не превышала единиц милливатт. Это накладывает некоторые ограничения на схемы, которые можно выполнить микроэлектронными методами. [44]

Микроэлектронные схемы на основе кремния могут работать при температуре окружающей среды от - 55 до 125 С. Применение микроэлектронных схем позволяет резко сократить габариты аппаратуры и повысить ее надежность. [45]

Страницы: 1 2 3 4