Транзисторная схема
Cтраница 2
 |
Схема фиксации нижнего уровня выходных сигналов.| Временная диаграмма, поясняющая работу фиксирующего диода.| Схемы транзисторных элементов ИЛИ-НЕ и И-НЕ ( СВП. [16] |
Основная транзисторная схема реализует операцию НЕ. Рассмотрим теперь схемы транзисторных элементов, реализующих другие операции. [17]
Транзисторная схема блокинг-генератора представляет собой усилительный каскад с глубокой положительной обратной связью. Одна из обмоток трансформатора включается в цепь базы транзистора, а другая - в цепь коллектора, либо в цепь эмиттера. Первая схема находит наибольшее применение в генераторах кадровой развертки. Следует заметить, что резкий переход транзистора из открытого состояния в закрытое влечет за собой быстрое изменение коллекторного тока, а следовательно, и напряжения на коллекторе. Появляется всплеск напряжения UK. [18]
 |
Формирование частотной характеристики УПЧ с помощью четырех резонансных систем с сильной связью. [19] |
Транзисторные схемы УПЧ имеют ряд существенных отличий от ламповых схем. [20]
 |
Схемы простейших транзисторных ключей. [21] |
Транзисторная схема управления диодным ключом позволяет осуществлять непосредственное соединение микросхем с ТТЛ-схемами. Верхний уровень управляющего напряжения 2 5 В, а нижний - 0 5 В. [22]
Транзисторная схема оператора ИЛИ обладает усилительными свойствами. [23]
 |
Практическая схема ждущего мультивибратора с катодной связью. [24] |
Транзисторная схема ждущего мультивибратора с коллекторно-базовыми связями показана на рис. 164, а. Эта схема позволяет формировать импульсы отрицательной полярности длительностью 50 - 2500 мкс. [25]
 |
Схема полосового уси - [ IMAGE ] Избирательный усилитель с лителя. двойным Т - образным мостом. [26] |
Транзисторные схемы избирательных усилителей строятся аналогично ламповым схемам. Однако низкое входное и выходное сопротивления транзистора оказывают сильное шунтирующее действие на колебательный контур, вследствие чего резко падает усиление каскада и ухудшаются его избирательные свойства. Поэтому в транзисторных схемах избирательных усилителей, как правило, используют трансформаторные и автотрансформаторные способы связи контура с цепями транзистора. [27]
Транзисторная схема формирования импульсов приведена на фиг. [28]
Проектируя транзисторные схемы, следует учитывать, что статические характеристики отдельных образцов транзисторов одного типа существенно отличаются, а их положение ( угол наклона и расстояние между кривыми) меняется с изменением температуры. [29]
Недостатком транзисторных схем с непосредственными связями является резкая нелинейность их входного сопротивления. Действительно, вольт-амперная характеристика база-эмиттерного перехода транзистора ( характеристика открытого диода) имеет вид, характерный для стабилизатора напряжения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5