Cтраница 1
![]() |
Состояние поверхности Pt-электрода при - 20 С ( обозначения соответствуют 1. [1] |
Эквивалентная электрическая схема, моделирующая строение границы фаз, как показал анализ, с понижением температуры изменяется. В ней появляются новые элементы, характеризующие адсорбционные процессы при понижении температуры. Некоторые конкретные данные по изменению состояния поверхности Pi в хлорной и серной кислотах и их смесях при низких температурах будут приведены ниже в соответствующих разделах по синтезу новых соединений. [2]
![]() |
Схема рабочего стеклянного электрода. [3] |
Эквивалентная электрическая схема помимо рассмотренных выше ЭДС содержит активные сопротивления Ri и R2, из которых Ri соответствует сопротивлению раствора электролита внутри электрода, a R2 - сопротивлению чувствительной мембраны. [4]
Эквивалентные электрические схемы отражают такой подход к исследованию динамических систем, когда учитываются количественные значения переменных системы и состав ее элементов. [5]
![]() |
Эквивалентная схема станции при исследовании грозозащиты вращающихся машин. [6] |
Эквивалентная электрическая схема для исследования грозозащиты вращающихся машин, кроме узла А, содержит основные элементы защищенного подхода: провода воздушных линий на подходе, разрядники РТ и РВ, реакторы и кабельные вставки. [7]
![]() |
Распределение потенциалов точечного электрода. [8] |
Эквивалентная электрическая схема, представляющая ситуацию полной катодной защиты. [9]
Эквивалентная электрическая схема, показанная на рис. 2.46, б, содержит пять диодов, три сопротивления, четыре емкости ( для модели BIRD) и два зависимых источника тока. [10]
Эквивалентная электрическая схема такой механико-акустической системы приведена на рис. 4.19 а, где использованы обозначения: тк, ск - соответственная масса и гибкость диафрагмы с катушкой и воротника, на котором они подвешены; г (, т - сопротивление вязкого трения, образующегося при протекании воздуха через щель, и масса этого воздуха соответственно; с - гибкость воздуха под диафрагмой; с 2 - гибкость воздуха в полости магнита. [11]
![]() |
Конструкция ( я и упрощен, ная эквивалентная схема ( б двухрезо-наторного ИПКФ. [12] |
Эквивалентная электрическая схема простейшего двухрезонаторного ИПКФ представлена на рис. 4.2 Ь в виде системы индуктивно связанных электрических контуров. Здесь LK, Ск - динамические элементы; С0 - статическая, Сп - проходная, С - монтажная емкость; С, RH - параметры нагрузки. Коэффициент взаимоиндукции М зависит от глубины акустической связи ( расстояния между резонаторами К) и в первом приближении определяет полосу пропускания ИПКФ. [13]
Эквивалентная электрическая схема транзистора для высших частот оказывается сложной. Поэтому оказывается сложным также и математический анализ частотных и переходных характеристик, входного и выходного сопротивлений транзисторных видеоусилителей. [14]
Эквивалентная электрическая схема электрода на основании этих расчетов не могла быть построена. Объясняется это различие тем, что в указанных работах не учитывалась дополнительная связь между элементами импеданса, вносимая соотношениями Онзагера, и не использовались представления об эквивалентном многополюснике. [15]