Cтраница 3
Как показывают результаты обобщения опыта разработки нефтяных месторождений, применение ГМУН не во всех случаях приводит к увеличению запроектированного конечного коэффициента нефтеизвлечешм. Поэтому эти методы, на наш взгляд, необходимо рассматривать в несколько расширенном виде, считая, что при определенных условиях применения они могут привести как к повышению эффективности разработки на каком-то отрезке времени, так и к увеличению нефтеизвлечения при широкомасштабном внедрении. [31]
Под интеллектуальными системами ( ИС) понимаются системы, созданные как для имитации, т возможностей интеллектуальной деятельности человека в области принятия решений. Принципиально новые воз: широкомасштабным внедрением компьютеризации, современных методов выработки и автоматизированных систем) открывают качественно новые подходы к пониманию и осуществ; деятельности. А поскольку управленческая деятельность включает управление государством, концерном, фирмой и принятие решений в реальной жизни осуществляется каждодневно, можно возможного применения ИС. [32]
Таким образом, анализ литературных данных показывает, что проблема увеличения охвата неоднородных пластов заводнением полностью не может быть решена, даже с применением повышенных давлений на линии нагнетания воды. Она не решается и при таких методах регулирования заводнением, как изменение направления потоков и циклическое, избирательное, очаговое заводнение, хотя применение их приводит к некоторому увеличению отборов нефти на второй и третьей стадиях разработки нефтяных месторождений. На Ромашкинском и Самотлорском месторождениях широкомасштабное внедрение этих методов позволило в 1974 - 1978 гг. получить до 2520 т нефти на скважину, а после обводнения продукции выше 70 - 80 % они дают незначительные приросты добычи нефти. [33]
Наличие на границах соединений ( и в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока в создаваемых - - структурах. Возможные загрязнения поверхности соединения пластин электрически активными примесями являются причиной появления в многослойных композициях паразитных р-я-переходов, а также ловушек для носителей заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере определяют генерационно-рекомбина-ционные характеристики высокоомных рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их качеством. [34]