Внесение - примесь
Cтраница 1
Внесение примесей в полупроводник, как мы увидим, открывает путь для улучшения его термоэлектрических свойств. [1]
Внесение примесей в полупроводник сильно влияет на его электрические свойства. Примесями считаются, например, атомы или ионы посторонних химических элементов, внедренные в решетку полупроводника. [2]
Внесением примесей в вещества, у которых не выполняется это условие, можно сообщить им фоточувствительность. Кроме примесей, на фоточувствителышсть твердого тела влияет состояние его поверхности ( например, шероховатость), особенновтом случае, когда поглощение происходит в тонком поверхностном слое. [3]
Процесс внесения примесей в идеальный полупроводник называется легированием. При этом незначительному изменению электронного спектра ( появлению одного дискретного уровня в запрещенной зоне) отвечает резкое изменение свойств полупроводника в целом по его отношению к внешнему электрическому полю. Полупроводники, в которых носителями заряда служат дырки, называются также полупроводниками / - типа, а полупроводники, в которых носителями заряда служат квазиэлектроны, - полупроводниками - типа. Вследствие симметрии задачи дырки и квазиэлектроны в роли квазичастиц в полупроводниках оказываются абсолютно равноправными. Они просто представляют собой удобный способ описания поведения системы электронов в полупроводнике в целом. [4]
 |
Расщепление локального уровня примеси в примесную зону. [5] |
В случае внесения примесей с валентностью, отличающейся от валентности основного вещества больше чем на единицу, атомы примеси могут быть дважды и трижды ионизированы. [6]
Внезапное закипание перегретой жидкости может произойти и без внесения примесей. [7]
 |
Зонная структура примесного полупроводника. а - п-тила. б - р-типа. [8] |
В соединениях элементов проводимость может быть изменена как внесением примесей, так и путем изменения нормального ( сте-хиометрического) соотношения атомов в соединении. На характер проводимости влияют также случайные примеси, дефекты кристаллической решетки, а также граничные свойства зерен монокристаллов полупроводников поликристаллической структуры. [9]
 |
Высокочастотный / - п - / - триод с вплавленными электродами. [10] |
Для триодов с наименьшими df более подходит диффузионный метод внесения примесей, более медленный и лучше лопающийся контролю. [11]
На прямой, представляющей ту же зависимость, но для опыта после внесения примеси в количестве а ( мол. [12]
Снимают платиновую чашку и закрывают ее для того, чтобы исключить возможность внесения примесей из воздуха. Не продолжают анализ до тех пор, пока анализ растворов во всех колбах не достигнет этой стадии. [13]
 |
Максимальное содержание примесей в реагентах, применяемых для разложения ( в мкг / г. [14] |
Трудности, возникающие при разложении образца массой менее 30 мкг, обусловлены в первую очередь внесением примесей и возрастают при определении отдельных элементов примерно в следующем порядке: иод, бром, фтор, фосфор, сера, хлор, азот, углерод, водород, кислород. [15]
Страницы: 1 2 3 4