Неразрушающее считывание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Девиз Канадского Билли Джонса: позволять недотепам оставаться при своих деньгах - аморально. Законы Мерфи (еще...)

Неразрушающее считывание

Cтраница 3


Необходимо отметить еще одно обстоятельство, связанное с условием обеспечения неразрушающего считывания в ячейке. Минимальная длительность импульса записи должна обеспечить такое изменение потенциала узловых точек триггера, чтобы разброс параметров схемы я режима питания не смог возвратить ячейку в первоначальное состояние.  [31]

32 Общий вид ЗУ на ЦМП емкостью 256 чисел. [32]

Указанные недостатки особенно влияют на характеристики матриц на ЦМП с неразрушающим считыванием, так как в этом случае предъявляются особо жесткие требования к разбросам магнитных полей по трудной оси пленки. Учитывая изложенное, представляет интерес вариант экранов на принципе вихревых токов [27], при котором шаг между числовыми обмотками можно довести до 1 0 мм.  [33]

Ядром блока машинно-ручного управления является выходной запоминающий усилитель, который характеризуется неразрушающим считыванием и способностью запоминать аналоговый сигнал. Этот тип усилителя иногда называют следящим усилителем с фиксацией или усилителем слежения-запоминания, хотя его характеристики отличаются от обычных характеристик этих усилителей. Из различных запоминающих устройств, описанных в разд.  [34]

В оо / а 1 ( ( Д Выгод токов, и неразрушающее считывание интерпретировалось именно в этом свете.  [35]

В [8.2, 8.18] рассмотрено несколько других устройств на многоотверстных магнито-проводах, в том числе с управлением полными токами и неразрушающим считыванием.  [36]

Буферная память АСКЗА обеспечивает запись и хранение информации от 15 ( 30) измерительно-преобразующих каналов, служебной информации и многократное неразрушающее считывание.  [37]

Авторы рассматривают эти соединения как фотохромы, термически устойчивые в обоих состояниях, относительно устойчивые к фотодеструкции и позволяющие осуществлять неразрушающее считывание.  [38]

39 Постоянное ЗУ типа 2D. [39]

Это объясняется большей простотой ЗЭ, отсутствием цепей для записи информации вообще или по крайней мере для оперативной записи, реализацией неразрушающего считывания, исключающего процедуру регенерации информации.  [40]

Излагаются теоретические основы работы и технического применения запоминающих элементов с модуляцией магнитного сопротивления ( ММС), предназначенных для построения устройств памяти с неразрушающим считыванием информации. Рассмотрены физические принципы работы элементов ММС, магнитные процессы в сердечнике, его эквивалентная схема и вопросы оптимизации. Приведены характеристики типовых ( серийных) элементов: описаны особенности запоминающих и логических устройств на элементах ММС, области устойчивой работы.  [41]

Метод, основанный на движении доменных верхушек в низкокоэрцитивных каналах, и взаимодействии их полей рассеивания, отличается простотой выполнения логических операций и позволяет легко осуществить неразрушающее считывание. Информация хранится внутри низкокоэрцитивных каналов, помещенных в пленочный элемент с высокой коэрцитивной силой, и продвигается по этим каналам под действием приложенного поля.  [42]

В отношении ФРК были предложены различные методики фиксирования голограмм - термическое фиксирование в LiNbO3 [9.80, 9.84-9.86] или электрическое в SBN [9.87] - обеспечивающие долгое хранение голограмм и их неразрушающее считывание на исходной длине волны. Также были разработаны различные методики, позволяющие осуществлять считывание голограмм на существенно измененной длине волны, к которой данный ФРК нечувствителен. Каждая из перечисленных методик, однако, обладает достаточно ограниченной областью применения, а также своими характерными недостатками.  [43]

Запись и считывание информации в динамическом шеститранзисторном ЗЭ производятся в основном так же, как и в рассмотренных в предыдущей главе статических ЗЭ; При этом для обеспечения эффективной записи и неразрушающего считывания необходимо соблюдение тех же соотношений между удельными проводи-мостями транзисторов, как и в случае статических ЗЭ.  [44]

45 Модель МА-центра в кристалле КС1.| Дифракционная эффективность голограммы на Рл-центрах в зависимости от экспозиции. [45]



Страницы:      1    2    3    4