Изменение - ширина - база
Cтраница 1
 |
Влияние модуляции ширины базы на градиент концентрации неосновных носителей в базе. [1] |
Изменение ширины базы существенно влияет на физические процессы в базе. [2]
Эффект изменения ширины базы под действием VK имеет не только положительное ( рост Л21Б), но и отрицательное значение. [3]
Эрли, - изменение ширины базы при изменении величины обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. При увеличении обратного напряжения электроны в п-области и дырки в р-об-ласти сильнее оттягиваются от р - n - перехода и толщина запорного слоя возрастает. Распространение границы запорного слоя в область базы приводит к умень шению ширины рабочей части базовой области. [4]
На основании вышеизложенного можно сделать вывод, что изменение ширины базы 15 - 20 % не вызывает сколько-нибудь заметных изменений В, и особенно / в, при работе планарного транзистора в микроамперном диапазоне токов. [5]
Зависимость гэ от напряжения на коллекторе UK определяется изменением ширины базы W. С увеличением UK ширина базы W уменьшается. [6]
Однако, как было показано выше, в микрорежиме изменение ширины базы под действием напряжения на коллекторном переходе практически не влияет на величину тока коллектора. [7]
Вычисленное нами гк полностью обусловлено эффектом обратной связи, возникающим вследствие изменения ширины базы. При равных концентрациях основных носителей в базе и коллекторе ( рк яеГ) dK с ростом 1 / к одинаково расширяется в обе стороны. [8]
Модуляция ширины базы ( в транзисторе), или эффект Эрли, - изменение ширины базы при изменении величины обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. При увеличении обратного напряжения электроны в п-области и дырки в р-области сильнее оттягиваются от р-п перехода и толщина запорного слоя возрастает. Распространение границы запорного слоя в область базы приводит к уменьшению ширины рабочей части базовой области. [9]
В основной части анализа пренебрегаем также генератором р-эк кб, отражающим влияние внутренней обратной связи в транзисторе, обусловленной изменением ширины базы. В дальнейшем покажем, каким образом можно легко учесть влияние этого генератора и когда это оказывается необходимым. [10]
Следует отметить, что поскольку с изменением напряжения на коллекторном переходе изменяются лишь постоянная времени пролета носителей через базу ( за счет изменения ширины базы) и постоянная времени выходной цепи ( за счет изменения емкости коллектора), а постоянная времени входной цепи не претерпевает значительных изменений, на основании вышеизложенного можно заключить, что граничная частота усиления транзистора в микрорежиме практически не зависит от величины напряжения питания. Это обстоятельство подтверждается экспериментом. [11]
Это в свою очередь приводит к изменению ширины базы. Если коллекторное напряжение увеличится, то коллекторный переход расширится и соответственно уменьшится ширина базы. Если при этом ток эмиттера поддерживается постоянным, то и градиент концентрации дырок остается без перемен ( для данного случая распределение дырок изображено пунктирной линией); при этом изменится общее число дырок в базе. [12]
В нестационарном режиме, как уже отмечалось, заряды дырок и электронов изменяются. Если в цепи коллектора транзистора включено сопротивление нагрузки RK, то изменение тока коллектора сопровождается изменением напряжения коллектора и, следовательно, изменением ширины базы W. Это приводит к изменению полного заряда доноров Qd в базе транзистора. [13]
В плоскостном кристаллическом триоде изменение в ширине двух областей перехода за счет переменного напряжения, очевидно, влияет на эффективную ширину базы. Однако необходимо рассмотреть только область коллекторного перехода, поскольку она значительно шире, чем область эмиттерного перехода за счет большего напряжения на первом. Изменение ширины базы в зависимости от напряжения на коллекторе влияет на все электрические параметры, которые являются функциями ширины базы. Эту модуляцию ширины базы напряжением коллектора называют Эрли-эффектом. Учитывая Эрли-эффект в граничных условиях для уравнения диффузии по переменному току (8.11), как показано в параграфе 8 этой главы, можно получить полные проводимости кристаллического триода при коротком замыкании. [14]
Страницы: 1