Cтраница 1
Изменение энергии электронов под действием облучения проявляется в молекулах, содержащих хромофорные группы и группировки атомов с многократно повторяющимися ненасыщенными связями. [1]
Изменение энергии электрона и дырки в пределах одной разрешенной зоны энергии или одной подзоны ( если зона вырождена и состоит из нескольких подзон) как правило, сопровождается изменением импульса носителя заряда. Величина этого изменения значительно больше импульса световых квантов. Поэтому свободные носители в идеальном кристалле, где отсутствует их рассеяние в соответствии с законами сохранения энергии и импульса не могли бы поглощать электромагнитное излучение. Однако в реальном кристалле всегда имеются определенные дефекты, взаимодействие с которыми изменяет импульс электрона. В результате взаимодействия свободных носителей с электромагнитным полем и дефектами кристалла становятся возможными их непрямые оптические переходы в пределах одной зоны приводящие к поглощению инфракрасного излучения. [3]
Изменение энергии электронов молекулы требует еще большей энергии, чем для изменения вращательного и колебательного движений. Поэтому электронные переходы всегда сопровождаются переходами между вращательными и колебательными уровнями. При облучении вещества видимым или ультрафиолетовым светом могут наблюдаться электронно-колебательно-вращательные спектры, состоящие из полос поглощения, часто сливающихся друг с другом. В нем могут быть участки сплошного спектра, отчетливо отделенные от дискретных линий. [4]
Изменение энергии электронов молекулы требует еще большей энергии, чем для изменения вращательного и колебательного движений. Поэтому электронные переходы всегда сопровождаются переходами между вращательными и колебательными уровнями. При облучении вещества видимым или ультрафиолетовым светом могут наблюдаться электронно-колебательно-вращательные спектры, состоящие из полос поглощения, часто сливающихся друг с другом. В нем могут быть участки сплошного спектра, отчетливо отделенные от дискретных линий. [5]
Для изменения энергии электрона или для удаления электрона из внешней электронной оболочки требуется всего несколько электронвольт. Например, величина 5 эв 8 - Ю 12 эрг / молекула соответствует изменению энергии А. [6]
![]() |
Зависимость f ( Т моно - [ IMAGE ] Зависимость максималь. [7] |
Так как изменение энергии электронов от 0 23 до 0 146 Мэв не шжет существенно сказаться на явлениях, определяемых ионизацией, можно утверждать, что главную роль играет смещение атомов кислорода. [8]
Однако каждое изменение энергии электронов сопровождается изменениями вращательной и колебательной энергии, так как молекула одновременно поглощает фотоны, соответствующие различным частям электромагнитного спектра, и электронные переходы ( электронное возбуждение) происходят одновременно с вращательными и колебательными переходами. Поэтому спектры поглощения состоят из большого числа линий поглощения, которые перекрываются и образуют полосы. В этом смысле поглощение фотонов, вызывающих вращательные и особенно колебательные энергетические переходы, оказывает влияние на цвет вещества, поскольку оттенки окраски зависят от ширины и характера полосы поглощения ( см. разд. [9]
О Определим изменение энергии электрона, находящегося на некотором уровне в разрешенной зоне, под действием внешнего электрического поля с напряженностью L. [10]
Еа характеризует изменение энергии электрона. [11]
![]() |
Функция Шермана для золота при анергии электронов 0 0 1 МэВ и 2 0 МэВ. [12] |
Это приводит к изменению энергии электрона на величину дн, где д - магн. [13]
![]() |
Расщепление электронных энергетических уровней, обусловленное взаимодействием с одним протоном, и возникающая при этом сверхтонкая структура ( в переменном магнитном поле. [14] |
Сказанное выше схематически описывает изменение энергии электрона; соответствующие аналитические выражения будут приведены ниже. [15]