Cтраница 1
![]() |
Характеристика двух периодов процесса выпечки. Кривые влагоотдачи, изменения высоты хлеба и толщины корки в процессе вы. [1] |
Температура зоны испарения ( Исп) определяется температурой кипения воды при соответствующем давлении и зависит от депрессии раствора сахара, соли и кислот в тесте. Таким образом, во втором периоде процесса скорость прогрева мякиша определяется постоянной температурой зоны испарения, и повышение интенсивности внешнего теплообмена в меньшей мере влияет на прогрев центральных слоев мякиша, но зато повышает интенсивность влагоотдачи за счет увеличения скорости углубления зоны испарения. [2]
Температура зоны испарения должна поддерживаться на 50 - 150 С выше температуры колонны, в то время как температура выхода газа-носителя вполне достаточна, если она на 50 С выше температуры в колонне. [3]
![]() |
Схема газорегулируемой тепловой трубы с горячим резервуаром.| Схема регулируемой тепловой трубы с прерывателями жидкой ( я или паровой ( б фазы теплоносителя. [4] |
В газорегулируемой тепловой трубе с горячим резервуаром 1 неконденсирующегося газа ( рис. 4.5.6) любое изменение температуры зоны испарения приводит к изменению давления пара и соответствующему перемещению границы переходной зоны. При этом изменяется площадь поверхности конденсации пара и происходит термостабилизация источника теплоты при изменении мощности тепловыделения в нем. [5]
![]() |
Схема газорегулируемой тепловой трубы с горячим резервуаром.| Схема регулируемой тепловой трубы с прерывателями жидкой ( а или паровой ( 6 фазы теплоносителя. [6] |
Термочувствительный элемент может быть выполнен в виде биметаллической детали ( рис. 4.5.7, б), разрывающей или восстанавливающей капиллярную связь между частями фитиля в зависимости от температуры зоны испарения. [7]
![]() |
Опытные значения коэффициентов теплоотдачи в зонах испарения и конденсации при разных углах наклона бесфитильных ТТ.| Изображение цикла работы t теплопередающей трубки в t Т-5-диаграмме. [8] |
В пределах каждой из зон можно выделить изотермические участки. Разница между температурами зон испарения и конденсации зависит от количества подводимого тепла в зоне испарения. Так, линия / отвечает опытам, когда зона испарения ТТ омывалась водой с температурой tWT 41 С и максимальный перепад температур между зонами ТТ составлял 12 С. Линия 3 отвечает условиям омывания водой с twr 31 С и перепадом температур между зонами 8 С. [9]
![]() |
Полная редестилляция путем возвращения конденсата прямо на вращающийся конус ( схематический поперечный разрез. [10] |
Ясно, что количество дестиллата, выходящего из самой узкой зоны, должно быть всегда равно количеству легких компонентов первоначальной питающей смеси или больше его, если эта питающая смесь должна быть освобождена в основном от всех этих компонентов за время прохождения ее через куб. Такая зависимость требует различных поверхностей конденсаторов, соответствующих данным случаям дестилляции, или регулирования температуры зоны испарения, или подбора обоих параметров вместе. [11]
Очень распространены контейнерные схемы выращивания монокристаллов соединений переменного состава ( рис. VIII. В камеру помещается монокристаллическая затравка или она сама образуется при медленном перемещении паров к несколько менее нагретым точкам. При этом разность температур зоны испарения и зоны роста может составлять всего несколько градусов. Впуском ( допустим, при выращивании карбида кремния) газов ( например, азота) или паров ( например, бора) можно осуществлять легирование монокристаллов одновременно с их ростом. В советских работах по получению карбида кремния этим путей, например в [87], [88], [89], были получены интересные результаты благодаря тщательному установлению точного аппаратурного режима и созданию надежного оборудования, которое, как видно из рис. VIII. [12]
В камеру помещается монокристаллическая затравка или она сама образуется при медленном перемещении паров и несколько менее нагретым точкам. При этом разность температур зоны испарения и зоны роста может составлять всего несколько градусов. Впуском ( допустим, при выращивании карбида кремния) газов ( например, азота) или паров ( например, бора) можно осуществлять легирование монокристаллов одновременно с их ростом. В советских работах по получению карбида кремния этим путем, например в [87], [88], [89], были получены интересные результаты благодаря тщательному установлению точного аппаратурного режима и созданию надежного оборудования, которое, как видно из рис. VI.50, Ь, достаточно сложно; подробное описание см. в оригинальных работах. [13]
При применении высокой температуры в газовой хроматографии особое значение имеет разложение исследуемого вещества; оно во всех случаях должно быть исключено. Известно однако, что разложение вещества зависит не только от температуры, но и от времени пребывания его в аппаратуре и от каталитического действия материала, из которого изготовлен аппарат. Три этих фактора необходимо учитывать при конструировании аппарата. В то время, как в детекторе по теплопроводности поддерживается температура, равная ( или несколько выше) температуре колонны, температура зоны испарения и выхода поддерживается более высокой. В работе [2] указывается, что при температуре зоны ввода пробы 580 С ( 2-диэтилгексил) - фталат был цел, в то время как ( 2-ди-этилгексил) - изофталат при 580 С почти бесследно разлагался, при 440 С разлагался частично, а при 330 С разложение было незаметно. При этом необходимо также принимать во внимание возможность других структурных изменений, таких, как полимеризация, изомеризация или дегидрирование, которые могут произойти с ненасыщенными жирами и жирными кислотами при высокой температуре. [14]
Наконец, третье требование, предъявляемое к системе ввода, состоит в том, что в ней не должно происходить изменения состава образца. Некоторые соединения могут разлагаться при контактировании с нагретым металлом стенок испарителя, другие - претерпевать каталитические превращения, третьи - полимери-зоваться; четвертые - селективно сорбироваться. В этих случаях используют полностью стеклянные системы ввода или дозируют образец непосредственно в колонку. Фракционирование также может произойти при недостаточно высокой температуре в зоне испарения образца. Тяжелые компоненты не могут испаряться мгновенно, поэтому пар, поступающий в колонку в первый момент, будет обеднен ими. Общее правило состоит в том, чтобы температура зоны испарения была выше точки кипения самого высококипящего из исследуемых компонентов. [15]