Небольшое изменение - напряжение
Cтраница 2
При малом сопротивлении R достигается значительное изменение тока при небольшом изменении напряжения, в то время как при большом сопротивлении R2 малые изменения тока приводят к значительным изменениям напряжения. Таким путем можно получить большие по напряжению сигналы на выходе при малой величине сигнала на входе. [16]
Кроме того, при таком выборе рабочей точки при небольшом изменении напряжения смещения величина отрицательного сопротивления - R изменяется сравнительно мало. [17]
Так как левый р - л-переход имеет малое сопротивление, небольшое изменение напряжения, приложенного к р, вызывает большое изменение тока через переход. С другой стороны, переход р2 - п, смещенный в обратном направлении, имеет большое сопротивление и в состоянии выдержать высокие напряжения. Следовательно, Ес можно сделать большим, тогда большие токи, вводимые в pi - область при малом изменении напряжения, проходят в р2 - область, ускоряемые большим напряжением. Батарея Ес является источником дополнительной ( вносимой) мощности или энергии. Для того чтобы использовать этот прибор как усилитель, необходимо к выходу р2 - области последовательно присоединить большое нагрузочное сопротивление и относительно высокое напряжение питания. [18]
 |
Характеристики некоторых биполярных транзисторов. [19] |
Так как переход база-эмиттер подчиняется экспоненциальному закону зависимости тока от напряжения, небольшое изменение напряжения база-эмиттер вызывает большой ток на коллекторе. [20]
 |
Характеристики некоторых биполярных транзисторов. [21] |
Так как переход база-эмиггер подчиняется экспоненциальному закону зависимости тока от напряжения, небольшое изменение напряжения база-эмиттер вызывает большой ток на коллекторе. [22]
 |
Камертонные генераторы. [23] |
Транзистор Т2 в этой схеме работает в ключевом режиме, при котором небольшие изменения напряжения питания практически не влияют на его работу. [24]
Использование гептодов ( 6А2П) позволяет менять крутизну ламп в тысячи раз при небольшом изменении напряжения ( в пределах 10 - 15 в) на его гетеродинной ( третьей) сетке. Нелинейные искажения, вносимые геп-тодом, меньше нелинейных искажений, вносимых лампами с переменной крутизной характеристики, вследствие чего регулировку усиления можно производить при уровне сигнала, полный размах которого доходит до одного вольта. [25]
 |
Схема параметрического стабилизатора напряжения. [26] |
Таким образом, при малом значении Rd довольно значительные изменения тока через стабилитрон вызывают небольшие изменения напряжения на нем. Это свойство стабилитронов использовано в схеме стабилизатора. [27]
 |
Конструкция транзистора ири-типа. [28] |
Более точно будет сказать, что транзистор - это управляемый напряжением источник тока: небольшое изменение напряжения на базе вызывает большое изменение тока на коллекторе. Такие устройства называются управляемыми напряжением усилители тока, которым соответствует параметр gm - проводимость. [29]
 |
Статические выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5