Температура - напыление
Cтраница 1
Температура напыления с помощью электрометаллизаторов может превышать 6000 С. [1]
При температурах напыления 720 - 770 К толщина этой фазы составляет 50 - 80 нм. [2]
При температурах напыления 10000 - 30000 К частицы наносимого вещества ( например, бориды и карбиды) перегреваются и при соударении могут разлагаться. Недостаточно высокая скорость потока напыляемых частиц ( 50 м / с при газоплазменном и 100 - 300 м / с при плазменном напылении) обусловлена иногда низкой прочностью сцепления с основой. [3]
Рассматриваются некоторые физические свойства аморфных пленок d - / - металлов. Отмечено, в частности, что при температурах напыления до 400 К упорядоченное расположение пар атомов является основной причиной перпендикулярной анизотропии в аморфных пленках рассматриваемого состава. Показано, что для расширения области температурной стабильности доменной структуры в аморфных бинарных пленках необходимо вводить дополнительные высокотемпературные примеси. [4]
Условия термической обработки пленок не только изменяют долю разных граней на поверхности, но и, по-видимому, влияют на количество таких выступающих на поверхности пленок микрообразований в виде кластеров всего из нескольких атомов, которые остались от процессов зародышеобразования и роста кристаллитов. Следует ожидать, что количество указанных микрообразований тем меньше, чем выше температура напыления или прогрева пленки, а при данной температуре - чем менее тугоплавок используемый металл. Такого типа микрообразования могут иметь значение при катализе, поскольку они обязательно содержат атомы с относительно низким числом ближайших соседей. [5]
 |
Зависимость коэффициента магнитоупругой деформации Т dHK / de от состава NiFe-пленок.| Зависимость величины изотропных напряжений в плоскости пленки от температуры подложки. [6] |
Все авторы за исключением Клокхолма и Фридмэна, работали с пленками 81 % Ni 19 % Fe; последние авторы работали с Ni-пленками. Все измерения, кроме измерений Вейсса и Смита, проводились при комнатной температуре, последние проводили исследования при температуре напыления. [7]
Напыление металла на стекло или другое аморфное вещество при высокой температуре может приводить к некоторой преимущественной ориентации кристаллитов. Это сразу видно на электронограммах образца, хотя метод реплик не позволяет отличить пленки с упорядоченной ориентацией кристаллитов от полученных при той же температуре напыления пленок с неупорядоченной ориентацией кристаллитов. В исследованиях автора пленки с некоторой преимущественной ориентацией иногда получались при напылении никеля, платины и палладия на стекло в условиях высокого или сверхвысокого вакуума при 620 - 670 К; в редких случаях это наблюдалось также при комнатной температуре. Для металлов кубической структуры оси 111 имеют тенденцию к ориентации по нормали к поверхности подложки. [8]
 |
Клещевое приспособление для формования склеенного образца. [9] |
Определение показателя адгезии рекомендуется производить на образцах-грибках с помощью предложенного автором клещевого приспособления рис. V-16. Образцы-грибки 4 вставляют в колодки 2, с помощью винта 6 устанавливают между ними требуемый по условиям испытания зазор и нагревают вместе с клещами в термопечи до температуры напыления. После остывания образцы-грибки вынимают и испытывают на разрывной машине, определяя разрывное усилие. Отношение разрывного усилия к площади склеивания ( в кгс / см2) является показателем адгезии. [10]
По мнению авторов, значения, полученные для пленки, напыленной и затем освещенной при температуре жидкого азота 77 К, относились к неупорядоченным пленкам, а полученные при более высоких температурах - к частично или полностью упорядоченным. В табл. 4.15 приведены температуры напыления и измерения для всех случаев. [11]
Вакуумное термическое распыление широко применяют для получения резистивных пленок, проводников из меди, алюминия и некоторых других сплавов, диэлектрических пленок из окиси кремния. Основные преимущества этого способа: высокая чистота получаемой пленки удобство контроля ее толщины в процессе напыления, простота и низкая себестоимость, сравнительно легкая автоматизация процесса позволяет создавать установки и комплексы, управляемые с помощью ЭВМ. Частично недостатки уменьшаются отжигом пленки, который осуществляется в вакуумных установках непосредственно после напыления при температурах подложек, несколько превышающих температуру напыления. Это производится для упорядочения структуры и уменьшает внутренние механические напряжения пленок с целью повышения их стабильности и улучшения адгезии к подложке. В процессе отжига межзеренные промежутки в пленках уменьшаются и, следовательно, снижается число структурных дефектов. При этом сопротивление резистивных и проводящих пленок уменьшается. [12]
Страницы: 1