Относительное изменение - сопротивление
Cтраница 1
Относительное изменение сопротивления для стержней, отрезанных перпендикулярно этому направлению имело значения, которые были меньше на два порядка. [1]
 |
Пассивное устройство стирания ( аннигиляции ЦМД.| Расширитель ЦМД типа шеврона. [2] |
Относительное изменение сопротивления зависит от физических свойств и геометрической формы проводника, напряженности внешнего поля и его направления относительно тока в проводнике. С целью упрощения технологии изготовления ЦМД-интегральной схемы ( уменьшения количества операций фотолитографии и совмещения) в качестве маг-ниторезистивного датчика используют пермал-лоевые элементы, изготовляемые методом фотолитографии из того же исходного слоя одновременно с другими ( управляющими) пермал-лоевыми элементами кристалла. Даже в отсутствие ЦМД вращающееся управляющее поле вызывает периодическое изменение активного сопротивления пермаллоевого датчика. Для уменьшения влияния управляющего поля датчик выполняется в виде двух одинаковых пер-маллоевых магниторезистивных элементов, включаемых в смежных плечах мостовой схемы. [3]
Относительное изменение сопротивления катушки подобно изменению индуктивности. На рис. 2 - 34 [19] изображены сравнительные кривые изменения индуктивности во времени после воздействия различного по величине постоянного магнитного поля. [5]
Относительное изменение сопротивления фоторезистора равно 0 6, а его темповое сопротивление составляет 5 - Ю4 ом. [6]
Относительные изменения сопротивления проволочных тензометров при относительном удлинении или сжатии обычно одинаковы. [7]
Относительное изменение сопротивления металлических тензопреобразователей не превышает 1 % даже при наибольших размерах удлинения проволок, и для уменьшения температурной погрешности необходимо, чтобы материал проволоки ( фольги) тензопреобразователя имел возможно меньший температурный коэффициент электрического сопротивления. [8]
Поскольку относительное изменение сопротивления AR / R у полупроводниковых тензорезисторов велико ( 0 1 - 0 3, см. рис. 10.1), то амплитуда сигнала на выходе моста может достигать нескольких вольт. [9]
Определим относительное изменение сопротивления проводника при его нагреве. [10]
Увеличение относительного изменения сопротивления магниторезистора наблюдается при более резком изменении площади, перекрываемой полюсными наконечниками. [11]
В результате относительное изменение сопротивления в 2 - 6 раз превышает относительную деформацию. [12]
 |
Измерительные цепи тензорезистив-ных преобразователей. [13] |
Так как относительные изменения сопротивлений тензорезисторов очень малы ( ЕЛ - 1 %), то существенное влияние на результат измерения могут оказывать их температурные изменения. Следовательно, необходимо предусмотреть температурную компенсацию. [14]
 |
Схемы конструкции терморезисторов ( а и их температурные характеристики ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4