Большее относительное изменение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если Вас уже третий рабочий день подряд клонит в сон, значит сегодня среда. Законы Мерфи (еще...)

Большее относительное изменение

Cтраница 3


Поскольку дифференциальная чувствительность моста пропорциональна относительному изменению сопротивления, можно показать, что чувствительность моста будет выше при отрицательном изменении сопротивления магниторезистора. Поэтому при проектировании измерителей для получения более высокой чувствительности необходимо балансировать мост при максимальном сопротивлении магниторезистора. Как показывает выражение ( 121), обычный мост с одним переменным плечом сам по себе нелинеен. Это становится особенно существенным при больших относительных изменениях сопротивления магниторезистора. Для неуравновешенных мостовых схем ток в индикаторной диагонали и напряжение на вершинах индикаторной диагонали находятся в весьма сложной зависимости от всех параметров схемы.  [31]

На рис. 19 - 14 показан один из вариантов конструкции такого электронного прожектора. При сборке прожектора особенно важно обеспечить точную соосность его электродов и соблюдение расстояний между ними, в первую очередь между катодом и модулятором. Для достижения точности взаимного расположения катода и модулятора катод запрессовывается в керамическую шайбу, плотно входящую в цилиндр модулятора. Расстояние между оксидированной поверхностью катода и диафрагмой модулятора фиксируется с помощью специальной профилированной прокладки - спейсера и имеет величину 0 12 - 0 16 мм. Уменьшение этого расстояния ограничивается возможными тепловыми деформациями катода и диафрагмы модулятора, приводящими к большим относительным изменениям этого расстояния, вплоть до короткого замыкания. Диаметр отверстия в диафрагме модулятора выбирается в пределах от 0 5 до 2 0 мм в зависимости от величины напряжения ускоряющего электрода и требуемых величин тока луча и запирающего напряжения.  [32]

Хорошо известно, что носители тока можно инжектировать в германий через выпрямляющий контакт. Это явление лежит в основе действия кристаллического триода. Однако далеко не так широко известно, что должно существовать и явление, обратное инжекции-эксклюзия. Некоторые расхождения между теорией и опытом, которые заметили Дэсей и Росс [2] в униполярных транзисторах, также были отнесены за счет эксклюзии. При помощи эксклюзии удается достигнуть гораздо больших относительных изменений концентрации, чем при ипжекции:, что, возможно, позволит изготовить некоторые новые и ценные приборы.  [33]



Страницы:      1    2    3