Температура - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Температура кристаллической решетки определяется спектром фэнонов, непрерывно распространяющихся по решетке и вызывающих хаотическое колебание ее атомов. При увеличении температуры амплитуда и частота колебаний атомов решетки возрастают, и эти колебания создают помехи распространению фононов между коррелированными электронными парами. Это проявляется в уменьшении притяжения между парами и соответствующем уменьшении энергетической щели. Температурная зависимость энергетической щели представлена на флг. [1]
 |
Условное изображение носителей в металле. [2] |
Амплитуда этих колебаний определяется температурой кристаллической решетки. Электронный газ совершает броуновское движение. При наложении электрического поля его воздействие осуществляется только на свободные носители. Электрическое поле не может сдвинуть кристаллическую решетку. Оно сдвигает электронный газ. Разумеется, электрон приобретает огромную скорость. Однако его движение не строго направленное, а происходит на фоне хаотичного. Ионы обмениваются энергией между собой и кристаллической решеткой. [3]
В отличие от тепловой, световая энергия запасается электронами полупроводника и практически - не изменяет температуры кристаллической решетки. Поэтому в присутствии света тепловое равновесие между электронами и решеткой нарушается. Носители тока, возникшие в результате оптической ионизации, являются неравновесными. [4]
Во время прохождения тока через полупроводник - рассказывает Ю. К. Пожела - температура электронов в последнем выше, чем температура кристаллической решетки. В чистых полупроводниках электроны разогреваются до температур в тысячи градусов. Если в полупроводнике создать несимметричный и неоднородный разогрев электронов, например, посредством пропускания тока через кристалл несимметричной и неоднородной формы, то такой полупроводник преобразует переменный ток в постоянный. [5]
При не слишком сильных электрических полях дрейфовая скорость намного меньше тепловой или, как говорят, температура носителей определяется температурой кристаллической решетки. [6]
В результате столкновений скорость хаотического ( теплового) движения электронов постепенно увеличивается и электронный газ разогревается до температур, значительно превышающих температуру кристаллической решетки. [7]
В полях напряженностью g5 - 102 В / см электронно-дырочный газ как бы нагревается, частицы становятся горячими, так как их средняя энергия соответствует температуре, превышающей температуру кристаллической решетки. [8]
 |
Фазовая диаграмма геля. [9] |
Наличие у системы или части системы собственной температуры, отличной от температуры термостата - довольно обычное явление в физике: напомним, что температура электронного газа примерно на 1000 К выше температуры кристаллической решетки металла. [10]
 |
Трехуровневый мазер, рассматриваемый как тепловая машина. Обращенный режим работы приводит к рефрижератору. [11] |
Величина Тс рассматривается в качестве температуры образца. Например, Тс может быть температурой кристаллической решетки, с которой связаны спиновые уровни мазерно-активных редкоземельных ионов, a Th тогда будет температурой микроволнового газового разряда, который используется для накачки системы. [12]
Показано, что при возбуждении КР светом с энергией кванта hv Eg необходимо учитывать разный объем рассеяния для стоксовой и антистоксовой компонент, поскольку глубина, с которой выходят эти компоненты, может существенно различаться. Основной результат состоит в том, что увеличение температуры кристаллической решетки при лазерном отжиге может быть сравнительно невелико ( Д - 300 С), и при этом плавления поверхности не происходит. [13]
 |
Туннели-рование электронов из валентной зоны в зону проводимости при сильном электрическом поле в полупроводнике. [14] |
В сильных электрических полях скорость дрейфа носителей заряда соизмерима с тепловой скоростью; носители заряда на длине свободного пробега приобретают в электрическом поле энергии, соответствующие кинетическим энергиям теплового хаотического движения. При этом распределение носителей заряда по энергетическим уровням соответствует большим температурам, чем температура кристаллической решетки, которая остается практически неизменной. Это явление называют иногда разогревом носителей. На подвижность носителей явление разогрева может влиять по-разному. [15]
Страницы: 1 2