Cтраница 2
Рассмотрим сверхпроводящую проволоку диаметром dc, помещенную в матрицу с площадью поперечного сечения ан и удельным сопротивлением рн. Коэффициент теплопередачи между сверхпроводником и медью равен 7 Вт / см2 - К - Допустим, что сверхпроводник несет ток насыщения и медь имеет температуру окружающей среды. Положим, что в результате небольшого роста температуры сверхпроводника ток А / с перетекает в медь. [16]
Такой сверхпроводник называется частично стабилизированным, хотя, безусловно, при низких значениях тока, при которых выполняется неравенство / 2рн a PhKV r, возможна полная стабилизация. Существует небольшое ограничение этой степени криостатической стабильности. В том случае, когда происходит переход от пленочного к пузырьковому кипению, все еще существует разность температур между композитным сверхпроводником и окружающей его средой. Если температура сверхпроводника остается выше критического значения, то сверхпроводимость не может восстановиться. Однако разность температур после перехода от пленочного к пузырьковому кипению очень мала. До тех пор пока ток в сверхпроводнике очень мал, что имеет место при значении тока вблизи напряженности поля, близкой к критическому значению, маловероятно, чтобы это ограничение представляло практически какое-либо препятствие. [17]
Из изложенного ясно, что, если необходимо достичь высокой чувствительности в инфракрасной области, нужно применять приемники излучения, работающие при низких температурах. Отсюда следует, что подходящими приемниками излучения могут быть сверхпроводники, если удастся использовать какое-либо их свойство, сильно зависящее от температуры. Таким свойством является сопротивление сверхпроводника 1-го рода при его температуре перехода ( см. гл. Если падающее излучение может вызвать хотя бы незначительное изменение температуры сверхпроводника ( например, в 10 К), то легко можно измерить вызванное при этом увеличение сопротивления. [18]
Сверхпроводимость может быть разрушена также магнитным, полем, что непосредственно вытекает из существования / кр. В самом деле, при помещении сверхпроводника в магнитное поле В в поверхностном слое наводится незатухающий ток, создающий в объе-еме проводника поле бвн, направленное противоположно В и ком пенсирующее его. При увеличении В растет плотность тока в сверхпроводнике и компенсирующее поле Вт. Однако при некотором значении 5КР, называемом критическим полем, наведенный в сверхпроводнике ток достигает критической величины и сверхпроводимость разрушается. При повышении температуры сверхпроводника BKV понижается. [19]