Электронная температура - плазма
Cтраница 1
 |
Распределение энергии.| Зависимость ширины магнитной щели б от напряженности магнитного поля. [1] |
Электронная температура плазмы ( ее оценка производилась различными способами) составляет около 20 эв. Время жизни плазмы в этих опытах практически не зависело от величины напряженности магнитного поля. [2]
С увеличением давления кислорода снижается электронная температура плазмы, что вызывает уменьшение разности потенциалов между объемом плазмы и заземленным катодом. [3]
 |
Конструкция генераторов шумовых сигналов. [4] |
Мощность на выходе волноводного генератора зависит от электронной температуры плазмы и потерь в волноводной секции. [5]
Мощность на выходе волноводного генератора зависит от электронной температуры плазмы и потерь в волноводной секции. Ширина спектра шумов определяется сечением волновода и составляет 30 - 35 % от средней частоты. При необходимости для регулирования получаемой мощности шума между выходом генератора и полезной нагрузкой включают плав-нопеременный или ступенчатый градуированный аттенюатор соответствующей конструкции. [6]
Для повышения чувствительности определений трудновозбудимых компонентов необходимо повышение электронной температуры плазмы и концентрации электронов. [7]
Указанная закономерность объясняется влиянием рода инертного газа на электронную температуру плазмы разряда. При переходе от гелия к ксенону температура плазмы в соответствии с потенциалом ионизации газа уменьшается, что должно приводить к перераспределению излучения в различных областях спектра. [8]
 |
Зависимость интен - сивности непрерывного спектр3 от частоты. определение электронной температуры 1. [9] |
Экспериментальные точки хорошо укладываются на прямые и позволяют определить электронную температуру плазмы. Сравнительно точные данные о Те можно получить, применяя и более простую методику, основанную на измерении относительной интенсивности неразложенного в спектр рентгеновского излучения, проходящего через пленки поглотителя различной - толщины. [10]
 |
Спектральная плотность тормоз -. ного излучения для нескольких значений электронной температуры плазмы. 1 Те 1000 эв. 3 Тв 600 эв. 3 Те 400 эв. 4 Те 200 эв. [11] |
На рис. 20.2 даны, в качестве иллюстрации, графики величины ( х) ТОрм для нескольких значений электронной температуры плазмы. Как видно из графиков, в длинноволновой области спектральная плотность практически не - зависит от электронной температуры, убытзая обратно пропорционально квадрату длины волны. [12]
 |
Спектры рассеянного излучения для трех значений параметра Солпатера. [13] |
Итак, эксперименты, проводимые в условиях, отвечающих первому предельному случаю, позволяют из полуширины спектра рассеянного излучения определить электронную температуру плазмы. Если опыт выполняется при а 1, то полуширина ионного нина рассеяния дает ионную температуру плазмы, а по абсолютной интенсивности ионного пика можно определить концентрацию электронов. Перекрестным контролем может служить определение пе из положения электронных сателлитов. [14]
Для линий видимого и ультрафиолетового диапазона, где Д лежат в пределах 1 - 10 эе, метод оказывается пригодным лишь для холодных ( и плотных) плазм. Если электронные температуры изучаемой плазмы достигают сотен электронвольт, чувствительность метода оказывается удручающе низкой. Положение можно несколько исправить, если сравнивать интенсивности линий атомных систем, которые находятся в различных состояниях ионизации. Расчет при этом усложняется, так как для аас бледностей основных состояний при разных степенях ионизации следует дополнительно использовать уравнение Саха. Мы не будем, однако, останавливаться на деталях вычислений, относящихся к ЛТР модели плазмы, а ограничимся тем, что приведем рис. 22.2 с расчетными кривыми ив [26], показывающими, как изменяется относительная интенсивность линий элементов с малым Z, ионы которых встречаются в качестве типичных примесей в плазменных экспериментах, в зависимости от электронной температуры. [15]
Страницы: 1 2