Эвтектическая температура

Cтраница 3

При достижении эвтектической температуры образуется горизонтальная площадка, так как кристаллизуются одновременно оба компонента расплава и температура остается постоянной. Подобный вид имеют кривые охлаждения расплавов и другого состава ( х2, Хз, х), за исключением эвтектики Е, которая, кристаллизуясь при постоянной температуре, дает, подобно чистым компонентам, плавную кривую охлаждения с горизонтальным участком при эвтектической температуре. Определяя кривые охлаждения для расплавов различного состава, можно построить по ним диаграмму состояния. [31]

При достижении эвтектической температуры ( 245 С) жидкая часть сплава имеет состав, соответствующий точке С ( 13 % Sb 87 % Pb), и кристаллизуется с образованием эвтектики. [32]

По достижении эвтектической температуры в точкеМ начинается выделение в осадок также и льда. [33]

По достижении эвтектической температуры в точке Мц начинается выделение в осадок также и льда. Согласно правилу соединительной прямой, точки системы, осадка и жидкой фазы как на политерме, так и на ее проекциях в любой момент времени находятся на одной прямой. [34]

При достижении эвтектической температуры образуется горизонтальная площадка, так как кристаллизуются одновременно оба компонента расплава и температура остается постоянной. Подобный вид имеют кривые охлаждения расплавов и другого состава ( х2, х3, я / О, за исключением эвтектики Е, которая, кристаллизуясь при постоянной температуре, дает, подобно чистым компонентам, плавную кривую охлаждения с горизонтальным участком при эвтектической температуре. Определяя кривые охлаждения для расплавов различного состава, можно построить по ним диаграмму состояния. [35]

Диаграмма состояния ( к применению на ней правила отрезков. [36]

По достижении эвтектической температуры жидкость принимает эвтектическую концентрацию. Выделяющиеся кристаллы В имеют постоянный состав - это чистый компонент В, концентрация которого лежит на вертикальной оси ВВ. [37]

Построение диаграммы состояния по кривым охлаждения. [38]

При достижении эвтектической температуры образуется горизонтальная площадка, так как кристаллизуются одновременно оба компонента расплава и температура остается постоянной. Подобный вид имеют кривые охлаждения расплавов и другого состава ( х2, х3, х4), за исключением эвтектики Е, которая, кристаллизуясь при постоянной температуре, дает подобно чистым компонентам плавную кривую охлаждения с горизонтальным участком при эвтектической температуре. Определение кривых охлаждения для расплавов различного состава дает возможность построить по ним диаграмму состояния. [39]

Растворимость при эвтектической температуре составляет - 8 % и падает до 0 % при комнатной температуре. Применяются в электротехнической промышленности. [40]

Диаграмма С - Ni при атмосферном давлении. П - пар, Ж - жидкость.. [41]

При увеличении давления эвтектическая температура и содержание углерода в эвтектике повышаются. Низкотемпературной модификацией ( а-углерод) является алмаз, высокотемпературной ( р-углерод) - графит. [42]

Ход изотермического испарения воды и охлаждения системы. [43]

Когда будет достигнута эвтектическая температура, точка системы передвинется в т4, точка раствора - в А, точка твердой фазы - в С. [44]

Ход изотермического испарения воды и охлаждения системы. [45]

Страницы: 1 2 3 4