Гелиевая температура

Cтраница 3

Извес пы микрокриоЕегщые системы, в которых для получение гелиевых температур используют тречкаскадный замкнутый дрос-сельимп цик. [31]

Странным казалось, что удельная теплоемкость полиэтилена в области гелиевых температур не зависит от степени кристалличности. Позднее было показано [13], что теплоемкость полиэтилена зависит от кристалличности не только в области сравнительно высоких ( выше НО К), но и в области гелиевых температур. На рис. 34 приведена температурная зависимость удельной теплоемкости полностью аморфного и полностью кристаллического полиэтилена. [32]

Электрон-дырочная жидкость имеет электронную энергию Ферми, превышающую при гелиевых температурах величину kT в несколько раз. Сейчас разработаны детальные многочастичные теории, довольно хорошо воспроизводящие экспериментальные значения анергии Ферми и плотности экситонной жидкости. [33]

Эта установка дает возможность создать давление 50 кбар при гелиевых температурах. Ее модернизация позволила довести давление до 200 кбар. [34]

Широкое применение находят низкотемпературные установки, работающие даже при гелиевых температурах, которые влияют в первую очередь на прочность и пластичность изделий. Так были обнаружены ползучесть даже при низких температурах и ряд других изменений механических свойств. [35]

В области низких температур туннельный диод успешно работает вплоть до гелиевых температур, так как вследствие сильного вырождения уровень Ферми лежит глубоко в разрешенных зонах кристалла. [36]

Из выражения (6.48), которое, безусловно, применимо для гелиевых температур, можно получить любой желаемый количественный результат. Возможно, например, увеличить или уменьшить в 2 раза скорость звука, что изменит результат, в 210 ( - 103) раз. Следует заметить, что R входит в выражение (6.48) в шестнадцатой степени. Если эта оценка справедлива, то в области температур около 1 К непрямой процесс уступает место прямому, для которого Г4 возрастает значительно медленнее. [37]

Блок-схема однопозиционного оптического запоминающего устройства, функционирующего на основе явления долгоживущего стимулированного. [38]

О) - кристалл ЬаРз: Рг3, находящийся при гелиевой температуре в оптическом криостате. Второй пучок предварительно распространяется через оптическую линию задержки ( ОЛ31) и лишь затем воздействует на ту же локальную область образца. Для формирования третьего возбуждающего импульса по команде СУ на НЭ подается высоковольтное напряжение. За счет этого плоскость поляризации излучения поворачивается. Затем оно проходит через механический затвор М32 и затем воздействует в направлении, обратном второму импульсу. [39]

При исследовании поперечного эффекта магнитосопротивле-ния в n - InSb при гелиевых температурах обнаружены осцилляции с многократным изменением знака магнитосопротивления с ростом поля, что соответствует явлению Шубникова - де Гааза. На рис. 11.180 приведено аномальное поведение магнитосопротивления образца InSb при низких температурах. [40]

Известно, что наряду со сверхпроводящими материалами, работающими при гелиевых температурах, в электротехнических устройствах могут быть использованы охлажденные чистые несверхпроводящие материалы, так называемые гиперпроводники. Например, весьма перспективен чистый алюминий, получаемый методом зонной плавки. Его сопротивление при охлаждении до 4 2 К снижается в 2500 раз. Однако экономические расчеты показывают, что наиболее эффективно применение алюминия не при температуре жидкого гелия, а в жидком водороде или неоне. Если в качестве хладагента в криогенных системах можно применить водород, а еще лучше неон, то они получаются более экономичными, а их эксплуатация существенно упрощается. В дальнейшем наибольшее распространение получат, вероятно, устройства, в которых будут одновременно использоваться и гиперпроводники и сверхпроводники. [41]

Изменение удельного электросопротивления сплавов иттрия с 0 26. 0 5. 1 и 2 ат. % Се ( кривые / - 4 соответственно в зависимости от температуры в интервале 1 5 - 30 К. [42]

По данным [14] магнитная восприимчивость сплавов на основе иттрия при гелиевых температурах приближенно подчиняется закону Кюри. [43]

Эффект Кикоина и Носкова еще более вырастает при низких - гелиевых температурах. [44]

А Камера высокого давления до 18 кбар для работы при гелиевых температурах. [45]

Страницы: 1 2 3 4