Достаточно низкая температура

Cтраница 1

Достаточно низкие температуры изменяются при переходе от одного твердого тела к другому и зависят от естественных частот колебаний атомов в кристалле. После этого все измерения ложатся на одну теоретическую кривую ( фиг. [1]

Для достаточно низких температур прямая имеет три точки пересечения с кривой. При некотором критическом значении температуры в прямая превращается в касательную. [2]

Для достаточно низких температур ( и, следовательно, светимостей) удельная теплоемкость в большей степени связана с колебаниями ионов решетки, чем со свободным движением. Де-баевская температура ( 0D - 107 К) является критической температурой, ниже которой cv быстро падает, что ведет к оолее быстрому остыванию. Учет этого обстоятельства должен обеспечивать улучшение согласия теории с наблюдениями. В следующих разделах мы в основных чертах построим теорию кристаллизации и теплоемкости ионной решетки и применим результаты к белым карликам. [3]

Монокристалл кремния, полученный вытягиванием из расплава. [4]

При достаточно низкой температуре ( в отсутствие действия света) полупроводник является изолятором, но при нагревании, начиная с той или другой температуры, указанный переход электронов становится возможным и тело приобретает некоторую проводимость, возрастающую с повышением температуры. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости физически означает, что электрон перестает быть связанным с определенным атомом и становится способным перемещаться по объему кристалла. [5]

При достаточно низкой температуре заселен только основной уровень, и спектр поглощения сильно упрощается: в нем остаются только линии, соответствующие переходам с основного уровня. [6]

При достаточно низкой температуре наиболее медленной стадией всех подобных процессов, по-видимому, является химическая реакция на поверхности. Следовательно, во всех случаях диффузионный процесс должен предшествовать химической реакции. При этом должен происходить также и процесс обратной диффузии, следующий за химической реакцией, в тех случаях, когда образуются газообразные продукты. [7]

При достаточно низкой температуре напряжение, необходимое для перегруппировки участков цепи, становится настолько велико, что полимер разрушается. Температура, ниже которой полимер разрушается под действием приложенного напряжения, называется температурой хрупкости и является нижним пределом эксплуатации полимерных материалов. [8]

При достаточно низкой температуре все вещества находятся в твердом состоянии. Расстояния между частицами вещества при этом по порядку равны размерам самих частиц, а их средняя потенциальная энергия выше средней кинетической энергии. Движение частиц ограничено, и силы, удерживающие частицы в определенном положении, обусловливают наличие собственной формы и объема. [9]

При достаточно низкой температуре у частиц сохраняются лишь две поступательные степени свободы и это приводит к ряду принципиальных физических следствий. Это первое исследование не было, однако, продолжено, и историю изучения двумерного электронного газа отсчитывают обычно от фундаментальных работ И. М. Лифшица, А. М. Косевича и М. И. Каганова вы полненных в начале 50 - х годов ( 3 - 6; в то время исследования были ограничены лишь теоре тическим анализом применительно к тонким металлическим пленкам. [10]

При достаточно низкой температуре и в отсутствие света полупроводники ведут себя как изоляторы. По мере нагревания вещества все большее количество электронов приобретает энергию, необходимую для перехода через запрещенную зону в следующую, разрешенную, называемую зоной проводимости. Используя большое число близко расположенных свободных уровней этой зоны, электроны, попавшие в нее, включаются в процесс электропроводности и тем самым уменьшают электрическое сопротивление вещества. С другой стороны, покидая заполненную нижнюю ( валентную) зону, электроны оставляют в ней свободные энергетические уровни, называемые дырками. [11]

При достаточно низкой температуре она всегда положительна, так что, переходя к более низкому давлению, газ охлаждается. [12]

Значения tg6 и ег разных бумаг в кипящем азоте при 103 Гц.| Зависимость значения tg6 и ег бумаги КВМ-120, пропитанной. [13]

При достаточно низкой температуре все материалы ( даже эластичные в обычных условиях) переходят в стеклообразное состояние. Разрушающее напряжение при растяжении Ор, сжатии 0С, изгибе аи при снижении температуры от комнатной до 77 К увеличивается, а при дальнейшем охлаждении до 4 2 К может как снижаться, так и несколько расти. Деформация термопластичных материалов сильно снижается, модуль упругости во всем диапазоне снижения температуры растет. [14]

При достаточно низкой температуре даже незначительные межмолекулярные силы способны удерживать молекулы в твердом или жидком состоянии. Рост давления вызывает повышение температуры кипения жидкостей вследствие более сильного взаимодействия молекул. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5