Критическая температура - сверхпроводящий переход
Cтраница 1
Критическая температура сверхпроводящего перехода - значение температуры, при котором металл переходит в сверхпроводящее состояние. [1]
Менее определенны оценки критической температуры сверхпроводящего перехода заряженной ( протонной 1)) компоненты вещества. [2]
Есть предел повышению критической температуры сверхпроводящего перехода. Этот вопрос волнует сегодня всех, кто работает в области материаловедения сверхпроводников. Парадоксально, что на этот вопрос было гораздо проще ответить 20 лет назад, чем теперь. [3]
 |
Критическая температура различных сверхпроводящих соединений за 1911. [4] |
Прежде всего надо отметить рекорд критической температуры сверхпроводящего перехода в фуллеритах, установленный учеными из Bell Laboratories ( исследовательский центр компании AT & T): расширяя решетку монокристаллов С60 интеркаляцией молекул СНВг3, удалось получить Тс - 117 К. В другом кристалле - СНС13 / С60 достигнута Тс - 80 К. В 2001 г. сверхпроводимость при нескольких градусах К была найдена в углеродных нанотрубках. В этом же году был обнаружен новый сверхпроводник, имеющий серьезные технологические преимущества перед ВТСП, - диборид магния MgB2 с критической температурой 39 К. [5]
Середину этого интервала обычно называют критической температурой Тс сверхпроводящего перехода; для чистых металлов она составляет от 0 2 до 10 К. У химических соединений, обладающих металлической проводимостью, например у гидридов и нитридов металлов, встречаются и более высокие критические температуры. Так как еще открывают все новые сверхпроводники, целесообразно указать лишь те группы периодической системы, в которых до сих пор еще не найдено признаков сверхпроводимости. [6]
Оба фактора способствуют увеличению констант электрон-фонной связи и, как следствие, повышению критической температуры сверхпроводящего перехода в А3С6о ( или КЬТЬСбо) в отличие от твердых гиперфуллеренов С при п70 с более низкой симметрией молекул. [7]
Наиболее важное в интересующем нас плане следствие обсуждаемого утверждения касается существования верхней границы для критической температуры сверхпроводящего перехода Тс. Оценка, проведенная в первой из этих работ, дает для верхней границы Тс величину, близкую к уже достигнутой для сверхпроводников-рекордсменов. [8]
Поскольку сразу стал ясен огромный прикладной потенциал сверхпроводимости, с этого времени в течение более чем 90 лет предпринимаются попытки увеличить критическую температуру сверхпроводящего перехода. [9]
Так, например, увеличение концентрации атомов Н, N и О, внедренных в решетку тантала и ниобия, приводит к уменьшению критической температуры сверхпроводящего перехода. Интересно, что внедрение атомов водорода в кристаллическую решетку различных металлов может приводить к противоположным результатам. [10]
Одному из таких следствий, относящемуся к вопросу о допустимом знаке статической ДП ( и одновременно о допустимом знаке статического взаимодействия между электронами) в этой статье уделено особое внимание. Рассматриваемые ниже приложения к проблеме радикального повышения критической температуры сверхпроводящего перехода показывают, что вопрос о справедливости соотношений Крамерса-Кронига далеко выходит за рамки чисто академических, а представляет немаловажный практический интерес. [11]
При Н - 0 правая часть равенства равна нулю. Соответственно 4) ( ( 1) т е переход из нормального состояния в сверхпроводящее действительно является фазовым переходом второго рода. Температура перехода называется критической температурой сверхпроводящего перехода Тс - Значение Тс известных сверхпроводников незначительно превышает 20 К. [12]
Открытие сверхпроводимости является наиболее ярким событием в изучении проводимости органических веществ. Она впервые наблюдалась Бечга-ардом, Якобсеном, Мортенсеном, Петерсеном и Тсорапом [22] и Жеро-мом, Мазо, Рибо и Бечгаардом [118] в 1980 г. в семействе изоструктурных соединений с общей формулой ( TMTSF) 2Ar, которые часто называют солями Бечгаарда. Только соль СЮ4 - проявляет сверхпроводимость при атмосферном давлении и имеет критическую температуру сверхпроводящего перехода Тс 1 К. [13]
Нам неизвестны общие требования, которые запрещали бы сколь угодно сильное притяжение между электронами при больших значениях k и, соответственно, сколь угодно высокое значение критической температуры. Однако такую возможность нельзя исключить и представляется, что поиск структур подобного рода - интересная и важная задача физики твердого тела. Быть может, именно на этом пути и могли бы осуществиться надежды на радикальное повышение критической температуры сверхпроводящего перехода. [14]
Такада и Уемура [1743] рассмотрели различные механизмы, которые могут привести к сверхпроводимости в инверсионном слое на поверхности InAs, и показали, что существенную роль могут играть акустические плазмоны в системах, где электроны заполняют несколько подзон, характеризующихся различными эффективными массами ( см. также разд. Позднее Такада [1736] отметил, что плазменный механизм сверхпроводимости возможен как в двумерной, так и в трехмерной электронной системе. В другой работе [1739] Такада вычислил температуру сверхпроводящего перехода в системе электронов инверсионного слоя на поверхности ( 100) Si, к которой приложено одноосное давление. Ханке и Келли [697, 698, 931] определили критическую температуру сверхпроводящего перехода в системе электронов на поверхности ( 111) Si, приняв во внимание кроме электрон-плазмонного также электрон-фононное взаимодействие и межподзонные переходы. [15]
Страницы: 1 2