Допустимая температура - переход
Cтраница 1
Допустимая температура перехода равна 200 С. [1]
Допустимая температура переходов транзистора идои - температура, превышение которой приводит к - - разрушению полупроводниковой е структуры транзистора и выходу его из строя. С ростом температуры / пдоп возрастает ток, протекающий через переходы, и увеличивается возможность их теплового пробоя. Допустимую температуру переходов указывают в справочниках. [2]
Один из важнейших параметров, определяющих надежность прибора-максимально допустимая температура перехода, которая определяется мощностью, рассеиваемой в приборе, температурой окружающей среды и условиями теплообмена между переходом и окружающей средой. [3]
Обратное будет неверно, так как, во-первых, допустимая температура перехода у германиевых транзисторов ниже, чем у кремниевых, и, во-вторых, большее значение обратного тока коллектора германиевых приборов может приводить к их насыщению при повышении температуры. [4]
Причина, препятствующая дальнейшему увеличению-допустимого напряжения в сплавных германиевых транзисторах, - снижение допустимой температуры перехода. [5]
Это явление будет подробно рассмотрено в § 5.15. Допустимая мощность рассеяния на коллекторе ограничивается допустимой температурой переходов. [6]
Кривые 1 и 2, соответствующие водяному и испарительному охлаждениям, показывают то, что с повышением допустимой температуры р-п перехода будет увеличиваться эффективность испарительного охлаждения по сравнению с водяным даже при такой разнице температур теплоносителей, как 28 С проточной воды и 70 С кипящего теплоносителя. [7]
В том случае, когда перегружу или короткое замыкание можно рассматривать как однократные, в течение короткого промежутка времени номинально допустимая температура перехода может быть превышена; таким образом, вентиль имеет определенную перегрузочную способность по току. [8]
 |
Схема аэродинамической трубы для исследования. [9] |
Требуется рассчитать конструкцию теплоотвода при одностороннем оребрении для обеспечения режимов работы транзистора П217, рассеивающего мощность 10 вт при допустимой температуре р-п перехода 85 С, температуре окружающей среды 40 С и скорости набегающего воздушного потока вдоль ребер 1 5 м / сек; транзистор крепится на гладкой поверхности теплоотвода; тепловое сопротивление переход - корпус 2 С / вт, тепловое контактное сопротивление 1 С / ег. [10]
Максимальное мгновенное значение мощности, выделяемой на переходе, должно отводиться через тепловое сопротивление к окружающей среде, имеющей наивысшую температуру ГОМакс без превышения допустимой температуры перехода Гпмакс. [11]
Она ограничивается допустимой температурой перехода Т п доп. [12]
Областью безопасных режимов называется совокупность электрических характеристик, при соблюдении которых обеспечивается надежная работа полупроводникового ключа без существенного ухудшения его характеристик и параметров. Границы ОБР определяются предельными значениями выходного тока, напряжения, а также максимальной рассеиваемой мощностью и допустимой температурой перехода. Безопасная работа ключевых полупроводниковых приборов определяется также режимом эксплуатации. [13]
Допустимая температура переходов транзистора идои - температура, превышение которой приводит к - - разрушению полупроводниковой е структуры транзистора и выходу его из строя. С ростом температуры / пдоп возрастает ток, протекающий через переходы, и увеличивается возможность их теплового пробоя. Допустимую температуру переходов указывают в справочниках. [14]
 |
Характеристики схемы с общей базой в функции. [15] |
Страницы: 1 2