Максимально допустимая температура - переход
Cтраница 1
Максимально допустимая температура переходов ограничивается возрастанием обратного тока и возможностью теплового пробоя. В качестве ориентировочного значения допустимой температуры коллекторного перехода можно принять температуру, при которой проводимость материала области базы приближается к собственной. [1]
Максимально допустимая температура переходов tn Макс германиевых транзисторов составляет 85 - 100 С, для кремниевых транзисторов эта температура равна 120 - - 150 С. [2]
Максимально допустимая температура перехода Tjm - это температура, превышение которой в длительных режимах эксплуатации диодов не допускается. Для отечественных силовых диодов старых исполнений эта температура равна 140 С. Для новых серий силовых диодов максимально допустимая температура перехода принята равной 190 С при повторяющихся импульсных обратных напряжениях до 1600В, 175 С при повторяющихся напряжениях до 2800 В и 150 С при повторяющихся напряжениях до 4000 В. Для быстровосстанавливающих-ся и лавинных диодов эта температура несколько ниже и не превышает 140 - 160 С. [3]
 |
Влияние обратного напряжения на УЭ на время восстановления для вентиля С40В при температуре перехода 125 С. [4] |
При максимально допустимой температуре перехода 125 С небольшое уменьшение времени восстановления наблюдается при подаче на УЭ отрицательного напряжения до - 2 в. Вентили серии С40 должны выдерживать положительное напряжение 0 25 в между управляющим электродом и катодом без отпирания и выдерживать отрицательное напряжение - 5 в на участке УЭ. [5]
Более низкие значения максимально допустимых температур переходов для тиристоров связаны с резким уменьшением напряжения переключения и критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и с увеличением времени выключения в результате дальнейшего роста температуры перехода. [6]
Работа в режиме максимально допустимой температуры перехода дает минимальную надежность прибора. Если от прибора ожидают надежной работы, то необходимо обеспечить снижение температуры перехода. Практически это достигается за счет того, что температура окружающего воздуха ограничивается 30 - 35 С, а рабочая мощность берется не более половины от предельной мощности для этой температуры окружающей среды. [7]
Значения перечисленных параметров соответствуют максимально допустимой температуре перехода ( полупроводниковой структуры) тиристора. [8]
Если нет специальных ограничений, значения максимально допустимых температур переходов Tjm отечественных силовых диодов устанавливаются в зависимости от их повторяющихся импульсных обратных напряжений URRM. Заданные значения температур корпусов, при которых устанавливаются предельные токи диодов, также зависят при этом от повторяющихся импульсных обратных напряжений. [9]
Для этой цели Гп принимают за максимально допустимую температуру перехода для данного прибора. [10]
Это соотношение связывает предельный ток с максимально допустимой температурой перехода Т - т, тепловым сопротивлением переход - корпус Rthjc и с параметрами ВАХ силового диода в прямом направлении U ( io) и гт. [11]
 |
К определению терминов повторяющееся, неповторяющееся и импульсное рабочее обратное напряжения. [12] |
Измерения проводятся при комнатной и ( или) максимально допустимой температуре перехода. [13]
Когда полупроводниковый прибор применяется в таком режиме, что максимально допустимая температура перехода не превышается в любой момент времени, то считается, что использование прибора основано на периодическом режиме. Любой нормальный режим и любое оборудование, использующие полупроводниковые приборы, должны удовлетворять этому условию, если эти приборы предназначены и рассчитаны для использования в режиме периодического включения. [14]
В технических условиях на германиевые триоды П6 и П4 максимально допустимая температура р-п перехода предусмотрена 100 и 90 С. При температуре, близкой к предельно допустимой, эти приборы работают достаточно устойчиво. Можно возразить, что триоды П6 и П4 изготовляются из германия с низким удельным сопротивлением - поэтому для них и принята высокая температура; диоды типа ВГ изготовляются из более высокоомного германия, следовательно, предельно допустимая температура для них должна быть принята несколько ниже. [15]
Страницы: 1 2 3 4