Cтраница 4
Обозначения в табл. V.9, V.10: f - величина доли безотдаточного поглощения, 6эфф - эффективн ая дебаевская температура. [46]
Если теплоемкость твердого вещества и тепловые эффекты его превращений измерены от температур, существенно более высоких, чем дебаевская температура вещества, до температур, близких к абсолютному нулю, то энтропия при 298 К может быть вычислена по известным соотношениям, причем получаемые результаты обычно надежны в пределах нескольких десятых кал / град г-атом твердого вещества. Оказывается даже возможным с относительно небольшой ошибкой экстраполировать полученные таким образом теплоемкости и найденные по. К и выше могут в некоторых случаях потребоваться непосредственные измерения. Проблема здесь заключается не в отсутствии надежных данных по энтропии тех твердых веществ, для которых были выполнены экспериментальные определения, а в отсутствии вообще любых данных для многих твердых веществ, имеющих весьма важное практическое и теоретическое значение. [47]
В следующей работе Брюханова и др. [42] эти результаты были распространены на другие матрицы и связаны с их дебаевскими температурами при помощи соотношения 60 const ( / C / - M0) 1 / 2, в котором / С - силовая константа, характеризующая взаимодействие между атомами, а М0 - масса атома матрицы. Эффективная температура Дебая 6, зная которую можно определить долю у-квантов, испускаемых без отдачи, может быть вычислена по формуле Q 60 ( Мо / М) 1 /, где М - масса мессбауэровского ( примесного) атома в разбавленном сплаве. Поскольку эффективная силовая константа, используемая выше, относится к взаимодействию между примесным атомом и атомами матрицы, которое одновременно влияет и на величину изомерного сдвига, то для 119Sn в этих разбавленных сплавах было обнаружено достаточно хорошее согласие между изомерным сдвигом и вероятностью излучения или поглощения без отдачи. [48]
Эти формулы применимы, если k0T / и k0T ( / 00 - /), где 6 - дебаевская температура. [49]
При рассмотрении электронной теплопроводности нужно иметь в виду, что температура вырождения того же порядка величины, что и дебаевская температура. [50]
Такое явное выделение фононных компонент поглощения для карбида кремния уже при комнатных температурах не является удивительным, ибо его дебаевская температура близка к 1000 К. Таким образом, ряд эффектов, наблюдаемых для Ge и Si только при азотных и даже гелиевых температурах ( например, фононное увеличение носителей [2]), наблюдается в карбиде кремния уже при комнатных температурах. [51]
Такое явное выделение фононных компонент поглощения для карбида кремния уже при комнатных температурах не является удивительным, ибо его дебаевская температура близка к 1000 К - Таким образом, ряд эффектов, наблюдаемых для Ge и Si только при азотных и даже гелиевых температурах ( например, фононное увеличение носителей [2]), наблюдается в карбиде кремния уже при комнатных температурах. [52]
Какое количество ( пт) фононов максимальной частоты возбуждается в среднем при температуре Т 400 К в кристалле, дебаевская температура которого 8200 К. [53]
Условия, при которых велика вероятность резонанса без отдачи, следующие: достаточно жесткая связь атомов в решетке ( высокая дебаевская температура), сравнительно большая масса ядра и не слишком жесткое излучение. Этими требованиями определяется перечень возможных излучателей. Для наблюдения эффекта необходимо иметь так называемый мессбауэровский изотоп, обладающий р пеРех Дом с низкой энергией ( ниже 150 - 200 кэВ) и достаточно большим временем жизни в возбужденном состоянии. В настоящее время известно большое количество мес-сбауэровских изотопов. Однако практически для металловедческих целей используются очень немногие: в первую очередь - 67Fe, затем 119Sn и ряд других. [54]
Если надежные экспериментальные данные о стандартных энтропиях и энтальпиях отсутствуют, их можно грубо оценить, использовав для расчета дебаевской температуры формулу Линде-мана и температуру плавления. [55]