Cтраница 2
Девять величин e fc образуют компоненты тензора диэлектрической проницаемости 2-го ранга. [16]
Выражение (1.5) является универсальной формулой, определяющей тензор диэлектрической проницаемости через моменты функции распределения, и не зависит от того, какая причина вызывает изменения момента. [17]
Отметим, что в движущейся суспензии симметрия тензора диэлектрической проницаемости, связана с симметрией тензора напряжений, однако сравнение выражений (3.2.7) и. [18]
Рассматривается метод описания анизотропной среды с помощью тензора диэлектрической проницаемости и осуществляется переход к главным осям тензора. [19]
Это следует непосредственно из общей теоремы о симметричности тензора диэлектрической проницаемости. [20]
Направим оси декартовой системы координат по главным осям тензора диэлектрической проницаемости. [21]
X, У, Z называют главными осями тензора диэлектрических проницаемостей. [22]
Это следует непосредственно из общей теоремы о симметричности тензора диэлектрической проницаемости. [23]
Определим далее, следуя [22], выражение для тензора диэлектрической проницаемости суспензии через характеристики частицы. [24]
В таком описании пространственная дисперсия сводится к появлению зависимости тензора диэлектрической проницаемости от волнового вектора. [25]
В частности, e ( со, fc) представляет собой обычный тензор диэлектрической проницаемости, используемый в линейной теории волн и учитывающий как частотную, так и пространственную дисперсию. [26]
Знание тензоров Л у сразу же приводит к выражению для тензора диэлектрической проницаемости кристалла. [27]
Тензор егу8 ( - у - - 4тх у называется тензором диэлектрической проницаемости диэлектрика. Можно доказать, что тензор а - -, как и тензор 8ц, является симметричным тензором. Главные значения тензора е - у называются главными диэлектрическими проницаемостями кристалла. [28]
Все они выражают искомую связь между состояниями кулоновских экситонов и тензором диэлектрической проницаемости кристалла. [29]
Иными словами, для сохранения энергии электромагнитного поля требуется, чтобы тензор диэлектрической проницаемости был эрмитов. [30]