Cтраница 1
Пьезоэлектрические тензоры этих текстур имеют коэффициенты, отличные от нуля. [1]
Задавая тензор упругих модулей и пьезоэлектрический тензор для некоторого конкретного материала, принято использовать так называемую матричную запись. При этом удается уменьшить число определяемых элементов. [2]
Перечисление отличных от нуля компонент пьезоэлектрического тензора для всех классов дано в задачах к этому параграфу. [3]
Симметрия этого тензора совпадает с симметрией пьезоэлектрического тензора. Поэтому рассматриваемый эффект существует у кристаллов тех же 20 классов, которые допускают пьезоэлектричество. [4]
Симметрия этого тензора совпадает с симметрией пьезоэлектрического тензора. Поэтому рассматриваемый эффект существует у кристаллов тех лее 20 классов, которые допускают пьезоэлектричество. [5]
Симметрия этого тензора совпадает с симметрией пьезоэлектрического тензора. Поэтому рассматриваемый эффект существует у кристаллов тех же 20 классов, которые допускают пьезоэлектричество. [6]
Это соотношение определяет новый тензор 8, который называется Пьезоэлектрическим тензором. [7]
Поляризованный полимерный диэлектрик обладает определенной симметрией, связанной с расположением зарядов или ориентацией диполей. С учетом этой симметрии существенно упрощается матрица пьезоэлектрического тензора, часть коэффициентов превращается в нули. [8]
Поляризованный полимерный диэлектрик обладает определенной симметрией, связанной с расположением зарядов или ориентацией диполей. С учетом этой симметрии существенно упрощается матрица пьезоэлектрического тензора, часть коэффициентов превращается в нули. [9]
Вид этих уравнений вытекает из законов термодинамики, которые здесь не рассматриваются. Тензорець, связывающий упругие и электрйче-скиеполя называется пьезоэлектрическим тензором. [10]
Такой кристалл по всем своим физическим свойствам совпадает с кристаллом, который с ним симметричен относительно центра. В частности, пьезоэлектрический тензор не должен меняться при преобразовании координат, состоящем в том, что направления всех трех осей меняются на противоположные. [11]
Прежде всего необходимо тщательно выбрать ориентацию кристаллической решетки материала. Ориентацию поверхности и направление распространения волны определяют относительно этих осей. Обычно принято обозначать направление нормали к поверхности символом хя, а направление распространения символом хг. Например, термин ниобат лития Y, Z-среза означает, что направление х3 параллельно оси Y кристалла, а направление х, параллельно оси Z. Ориентацию х3 называют также срезом, так что У, Z-срез ниобата линия представляет собой К-срез кристалла. Такие характеристики материала, как тензор упругих модулей, тензор диэлектрической проницаемости и пьезоэлектрический тензор также определяются по отношению к внутренним осям X, Y и Z. Таким образом, чтобы перейти к системе координат хг, х %, х3, необходимо произвести преобразования вращения. В кубических кристаллах ориентацию часто определяют непосредственно по отношению к решетке, используя индексы Миллера. [12]