Высокотемпературный тензорезистор

Cтраница 1

Высокотемпературные тензорезисторы на основе жаростойких окислов. [1]

Характеристики высокотемпературных тензорезисторов на основе жаростойких окислов при воздействии реакторного облучения. [2]

Для высокотемпературных тензорезисторов используют кремний-органические клеи типа SS-1 и SS-5 ( фирма Shinkon Communication Industdy Co. Рабочие температуры этих клеев составляют 400 - 450 С. Они отверждаются при высоких температурах, близких к максимальной рабочей температуре. После приклеивания тензорезисторов рекомендуется термообработка при температуре, на 20 - 50 С превышающей рабочую. [3]

Для приклеивания высокотемпературных тензорезисторов применяют также неорганические цементы на основе фосфатов или жаростойких окислов. Эти цементы используют для крепления безосновных тензорезисторов или тензорезисторов на временной основе. [4]

Их успешно применяют для крепления высокотемпературных тензорезисторов. Предельная рабочая температура тензорезисторов, наклеенных этими цементами, составляет 350 С при длительном и 600 С при кратковременном нагружении. [5]

Большой опыт по разработке, изготовлению и исследованию высокотемпературных тензорезисторов имеют ЦКТИ имени И. И. Ползунова, ЦАГИ, ИМАШ и ЦНИИТМАШ. [6]

На основе монокристаллического карбида кремния могут быть изготовлены термисторы, фоторезисторы и высокотемпературные тензорезисторы. Показана возможность изготовления на основе карбида кремния высокотемпературных выпрямительных диодов, полевых транзисторов, туннельных диодов, фотоэлементов, высокотемпературных счетчиков частиц высоких энергий, эмиттеров электронов и других приборов. Достаточно широко распространены светоизлу-чающие приборы, изготовленные из карбида кремния. [7]

Созданы сложные комплексы информационно-измерительных систем, включающие специально разработанные первичные преобразователи - высокотемпературные тензорезисторы, гермотензодатчики и гермотермопары; специализированная вторичная аппаратура с заданными параметрами, ЭВМ со специальным набором алгоритмов и программ сбора и анализа информации, позволяющие получать надежные результаты по напряженно-деформированному состоянию исследуемых узлов реакторной установки в процессе испытаний при стационарных и переходных режимах эксплуатации. Эти системы выполнены в мобильном и стационарном вариантах, обеспечивающих исследование в штатных условиях. [8]

Система защиты тензорезисторов. [9]

Установка гермотензодатчиков осуществляется с помощью контактной сварки. Чувствительность гермотензодатчиков составляет 1 7, а температурная характеристика близка к характеристике высокотемпературного тензорезистора без защиты. [10]

Клеи ( связующие) для тензорезисторов создавались на основе промышленных конструкционных клеев, лаков и покрытий, которые специально исследовались и дорабатывались с целью использования в тензометрии. Совместно с Институтом химии силикатов РАН проведены широкие исследования органосиликатных материалов, разработанных в этом институте, подобраны наиболее подходящие для высокотемпературных тензорезисторов и отработан технологический процесс их изготовления. Эти материалы ( имевшие марки В-58 Т и ВН-15Т) термостойки, обладают хорошей адгезией к металлам и их сплавам, радиационной стойкостью, высоким объемным сопротивлением, вибропрочностью. [11]

Конструкция полупроводниковых тензорезисторов. [12]

В качестве основы для пленки проволочных тензорезисторов используют бакелитовый лак, клей БФ-2. Резисторы, изготовленные на пленке из клея БФ-2, способны работать при температурах от - 40 до 70 С, а на бакелитовом лаке - до 200 С. Для высокотемпературных тензорезисторов используют клеи В-58, ВН-15, выдерживающие температуру до 400 С, или цементы Е-5 &, ВН-12 при измерениях до 800 С. [13]

Экспериментальное определение экстремальных напряжений при повышенных температурах в штатных и аварийных ситуациях всегда сопряжено с необходимостью разделения измеренного значения на две части: первую, обусловленную температурными напряжениями, вторую - влияющими факторами. С повышением температуры вторая часть, как правило, существенно возрастает и может в несколько раз превышать полезную информацию. Это обстоятельство обусловливает высокие требования к метрологии высокотемпературных тензорезисторов и определяет сложный комплекс задач, связанных с созданием данных измерительных средств. [14]

Страницы: 1