Металлический тензорезистор

Cтраница 2

Возможность увеличения жесткости упругих элементов датчиков с полупроводниковыми тензорезисторами при одинаковом выходном сигнале с датчиками, оснащенными металлическими тензорезисторами, позволяет уменьшить осадку первых на порядок. [16]

Несмотря на ряд очевидных достоинств ( высокая точность, хорошая долговременная стабильность, высокая собственная частота, применимость для изготовления небольших серий) фольговые тензорезисторы имеют также и недостатки: относительную дороговизну в связи с жесткими допусками на изготовление; невысокую тензочувствительность, свойственную всем металлическим тензорезисторам ( k 2), что требует соответствующего усиления; ограниченные диапазон температур и возможности миниатюризации. [17]

Несмотря на ряд очевидных достоинств ( высокая точность, хорошая долговременная стабильность, высокая собственная частота, применимость для изготовления небольших серий) фольговые тензорезисторы имеют также и недостатки: относительную дороговизну в связи с жесткими допусками на изготовление; невысокую тензочувствительность, свойственную всем металлическим тензорезисторам ( А: 2), что требует соответствующего усиления; ограниченные диапазон температур и возможности миниатюризации. [18]

Схема уровнемера.| Устройство проволочного тензорезистора. [19]

Из металлических тензорезисторов наиболее распространены проволочные и фольговые. [20]

Для тензорезисторов характерен разброс значений коэффициента тензочувствительности и начального сопротивления от экземпляра к экземпляру. Для металлических тензорезисторов разброс коэффициента тензочувствительности составляет единицы, а для полупроводниковых - даже десятки процентов. [21]

Схема уровнемера.| Устройство проволочного тензорезистора. [22]

Из металлических тензорезисторов наиболее распространены проволочные и фольговые. [23]

Зависимость коэффициента тензочувствительности п - и р-кремния от кристаллографической ориентации и удельного сопротивления р. [24]

По сравнению с металлическими тензорезисторами аналогичные полупроводниковые приборы имеют один недостаток: значительную погрешность линейности, которую, согласно уравнению (3.58), можно компенсировать использованием зависимости - К от деформации или последующими преобразованиями сигнала ( см. подразд. Поэтому датчики силы с полупроводниковыми тензорезисторами имеют большие погрешности, чем датчики с металлическими тензорезисторами при равных затратах на изготовление. [25]

Построение семейства ВАХ варистора.| Характеристика позистора. a - температурная. б - ВАХ. в - зависимость ТКЛ от температуры. г - зависимость постоянной нелинейности от температуры. [26]

Для оценки пригодности материала для тензорезисторов пользуются постоянной элас-тосопротивления т ( Др / р): ( Д / / 7), где р - удельное сопротивление материала. Полупроводниковые материалы, используемые для изготовления тензорезисторов, обладают постоянной эластосопротивления на два порядка большей, чем нихром и никель, используемые для металлических тензорезисторов. Изменение знака тензочувствительности в зависимости от типа проводимости материала является важным свойством полупроводниковых тензорезисторов. [27]

Индуктивный датчик давления.| Емкостный датчик низкочастотного давления. / - мембрана. 2 - неподвижный электрод. 3 - герметизированный вывод.| Пьезоэлектрический датчик пульсаций давления. [28]

В современных датчиках давления нашли широкое применение тензорезистив-ные и индуктивные МЭП. Емкостные МЭП используют в меньшей степени в основном из-за высокого значения импеданса, затрудняющего передачу сигнала преобразователя по кабелю. Металлические тензорезисторы позволяют получить высокие метрологические характеристики. [29]

Разнообразие задач измерения делает почти невозможным сравнение преобразователей разных типов и видов по какому-то обобщенному критерию, хотя такие попытки и делались. Ясно, однако, что такому сравнению могут подвергаться преобразователи, предназначенные для одинаковых условий применения, что снижает значение проводимой оценки. Например, пьезоэлектрический преобразователь имеет чрезвычайно малый энергетический КПД, но тем не менее успешно применяется для измерения малых динамических деформаций, правда в исключительно стабильных условиях. Металлический тензорезистор значительно уступает полупроводниковому по чувствительности и энергоотдаче, однако его относительная стабильность параметров лучше, так что при малом уровне внешних помех он оказывается более широкодиапазонным. Поэтому ниже приведены только сведения о предельной достигнутой чувствительности МЭП. [30]

Страницы: 1 2 3