Тензосопротивление

Cтраница 3

В режиме постоянного напряжения на затворе V3 и стоке Vc изменение сопротивления канала ничем не отличается от аналогичного изменения величины обычного тензосопротивления, соответственно значение т - того же порядка. [31]

Перераспределение электронов Л2 28rtj. [32]

Если же сжать кристалл в направлении [111], то все экстремумы останутся эквивалентными, перераспределения электронов не произойдет, и в этом приближении тензосопротивление наблюдаться не должно. [33]

Расположение тензопреобразо.| Устройство датчика магиитоупругого торсио. [35]

Погрешность измерения тензометрами составляет не менее 5 - 10 %, когда прибор предварительно не градуируется, и может быть снижена до значений порядка 1 - 2 % при непосредственной градуировке его путем нагружения вала с наклеенными на него тензосопротивлениями. [36]

Тензорезистивным эффектом, или тензосопротивлением, называется изменение электрического сопротивления полупроводника результате действия нагрузки, создающей деформацию. Непосредственно тензосопротивление не вытекает из кинетического уравнения, однако его необходимо отнести к кинетическим явлениям, поскольку оно представляет собой изменение одного из важнейших кинетических явлений - сопротивления, или проводимости, - под действием напряжений в теле, создаваемых внешней нагрузкой. [37]

Тензорезистивным эффектом, или тензосопротивлением1, называют изменение электрического сопротивления полупроводника в результате действия нагрузки, создающей деформацию. Непосредственно тензосопротивление не вытекает из кинетического уравнения, однако его необходимо отнести к кинетическим явлениям, поскольку оно представляет собой изменение одного из важнейших кинетических явлений - сопротивления, или проводимости, - под действием напряжений в теле, создаваемых внешней нагрузкой. [38]

Тензорезистивный эффект состоит в изменении сопротивления ( проводимости) полупроводника или металла в результате его деформации. Физической причиной тензосопротивления является изменение энергетической структуры полупроводника. Изменение ширины запрещенной зоны приводит к изменению концентрации носителей заряда и тем самым к изменению сопротивления. [39]

Функцию преобразования ( коэффициента К) определяют при помощи градуировки преобразователей. Изменение сопротивления тензосопротивлений измеряют мостовыми или компенсационными схемами. [40]

Принцип действия неравновесного моста с СД ( рис. 109) заключается в следующем. При отсутствии усилий F тензосопротивления RT находятся в ненагруженном состоянии и имеют определенную величину. При появлении усилий F испытуемая конструкция деформируется, например растягивается, вместе с нею деформируются и наклеенные на нее тензосопротивления RT. При этом их величина изменяется на ДЛТ, в результате чего нарушается равновесие моста и появляется напряжение разбаланса Us переменного тока частоты питания моста сопит. Величина напряжения разбаланса определяется величиной усилия F. При перемене знака усилия F фаза напряжения разбаланса меняется на обратную. [41]

Состав клея и технология наклеивания проволоки на бумагу и всего преобразователя на деталь должны обеспечить правильную передачу деформаций от детали к проволоке. Это является основным условием успешного использования тензосопротивлений. Важное значение с этой точки зрения имеет также диаметр проволоки и толщина слоя клея между поверхностью детали и преобразователем; толстый слой клея не обеспечивает полной передачи деформаций. Опыт показал, что расстояние между осью проволоки и поверхностью испытуемой детали не должно превышать 0 03 - 0 04 мм, что ограничивает диаметр применяемой проволоки значением 0 04 мм. [42]

Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензосо-противление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [43]

Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензо-сопротивление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [44]

Для усиления сигнала применен четырехканальный усилитель УТЧ-1, а для регистрации его - осциллографы Н-700 и ЭО-58-М. В качестве воспринимающих органов датчиков давления применены тензосопротивления типа ПБА-20-200, наклеенные на цилиндрические поверхности дифференциального датчика давления ( рис. 33), который исключает отрицательные последствия колебания температуры. [45]

Страницы: 1 2 3 4