Cтраница 3
Что определяет тензочувствительность резистивных полупроводниковых тензодатчиков к давлению - изменение геометрических размеров тензорезистора или изменение удельного электрического сопротивления материала тензорезистора. [31]
![]() |
Температурные зависимости коэффициента тензочувствительности тензорезисторов из кремния р-типа с различной концентрацией примеси бора. [32] |
Изменение коэффициента тензочувствительности, связанное с деформацией, тем больше, чем больше удельное сопротивление полупроводникового материала тензорезистора. [33]
А коэффициент тензочувствительности существенно увеличивается. Однако структура этих очень тонких пленок предельно чувствительна к условиям напыления пленки и не воспроизво-дима, так что эти пленки нель-зя использовать для практического изготовления тензо-датчиков. В пленках никеля тензочувствительность сопротивления не следует описанной выше картине, за исключением очень тонких пленок, где коэффициент тензочувствительности не зависит от деформации и имеет большое положительное значение. Изменение продольного сопротивления пленок никеля разной толщины в зависимости от деформации представлено на рис. 15 Как и в немагнитных пленках, с увеличением толщины пленки Пьезосопротивление приближается к своему значению в массивных кристаллах. [35]
Их коэффициент тензочувствительности равен 2 - 6 ( табл. 3.3), и его слагаемые от изменения формы и пьезосопротивления имеют одинаковый порядок значений. [36]
Изменение коэффициента тензочувствительности ( К Сц) теперь легко может быть учтено либо путем измерения температуры в месте расположения тензодат-чика и внесения поправки с учетом кривой на рис. 19, либо путем схемной компенсации, пример которой будет рассмотрен ниже. [37]
Их коэффициент тензочувствительности равен 2 - 6 ( табл. 3.3), и его слагаемые от изменения формы и пьезосопротивления имеют одинаковый порядок значений. [38]
Для определения тензочувствительности и ползучести тензорезисторов, погруженных в масло в атмосферных условиях, была подготовлена балка равного изгибающего момента, на которую наклеивались проволочные тензо-резисторы двух типов ( / 10 и / 20 мм) на бумажной основе и клее БФ-4. [39]
Высоким значением тензочувствительности К ( ХАст / ае, где ст-уд. В зависимости от уровня легирования кристалла, рабочей темп-ры, типа проводимости, ориентации чувствит. К полупроводниковых резисторов может изменяться от неск. В металлах ( сплавах металлов) К мало и достигает неск. Тензорезисторы на основе металлич. Fe - Сг - Al, Ni - Сг - А1 и др. Разработаны методы изготовления тензорезисторов с помощью тонкопленочной технологии. Тензорезисторы наносятся на изолирующую подложку, напыляемую непосредственно на исследуемую поверхность. [41]
Обычно коэффициент тензочувствительности датчика составляет 75 - 95 % от коэффициента тензочувствительности материала проволоки, причем меньшие значения относятся к датчикам с меньшей базой. [42]
Значение коэффициента тензочувствительности датчика при динамическом нагружении может отличаться от его статической величины. Это может быть связано как с различием поведения самого тензочувствительного элемента в зависимости от скорости деформирования, так и с изменением поведения подложки и клея. [44]
Так как коэффициент тензочувствительности К кремния с проводимостью n - типа отрицателен, то кажущаяся продольная деформация в соответствии с уравнением (6.13), а следовательно, и термическая ползучесть этих тензорезисторов могут, например для стали, принимать чрезвычайно малые значения. [45]