Cтраница 4
Тонкие срезы полупроводникового материала наклеиваются на упругий элемент датчика так же, как проволочные тензоэлементы. [46]
Перемещение дна сильфона передается плоской пружине 3, на которой наклеены четыре проволочных тензоэлемента, соединенные в мостовую схему. [47]
В этом потенциометре компенсирующее напряжение получается от мостовой схемы, состоящей из четырех тензоэлементов. Напряжение небаланса, усиливаемое электронным усилителем, управляет вращением ротора реверсивного двигателя, который воздействует на тензоэлементы и изменяет величину компенсирующего напряжения до значения, соответствующего балансу схемы. [48]
I, 37 - I, 43) основано на изменении омического сопротивления наклеенных тензоэлементов 1 при деформации упругого элемента 2 под воздействием измеряемой силы. Упругий элемент датчика выполняется в виде кольца, сплошного или полого цилиндра, помещенного в корпус. Конструктивные формы упругих элементов и места наклейки тензоэлементов соответствуют фиг. Тензоэлементы включаются в мостовую схему ( фиг. Тип датчиков, обозначается буквой и цифрой. [49]
Сила воспринимается полым стальным стержнем / со сферической опорой, на который наклеены восемь тензоэлементов. [50]
При перемещении жесткого центра сильфона изгибается плоская пружина 3, на которой наклеены четыре тензоэлемента 4, включенные по схеме моста ( два работают на сжатие. Выходной сигнал подается на измерительно. Датчики компонуются в блоки по 3 шт. [51]
V, 104) основано на преобразовании давления, воспринимаемого силь-фоном, в изменение сопротивления тензоэлементов. Измеряемое абсолютное давление ра газа подается во внутренние полости рабочего / и разделительного 3 сильфонов. Опорный вакуум р0 подается во внешнюю полость рабочего сильфона. [52]
V, 105) основано на преобразовании давления, воспринимаемого сильфоном, в изменение сопротивления тензоэлементов. [53]
V, 25) основано на преобразовании давления, приложенного к поршню, в изменение сопротивления тензоэлементов. [54]
V, 57) основано на преобразовании давления, приложенного к мембране, в изменение сопротивления тензоэлемента. [55]
V, 58) основано на преобразовании давления, приложенного к мембране, в изменение сопротивления тензоэлементов. [56]
V, 60) основано на преобразовании давления, приложенного к мембране, в изменение сопротивления тензоэлементов. Тензоэлементы включены и мостовую схему. Выход моста усиливается в подается на осциллограф. [57]