Cтраница 1
Теория диэлектриков, Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери, перевод, Изд-во иностр. [1]
Согласно теории диэлектриков, поведение, отражаемое правилом круговой дуги, является результатом стохастического распределения времени релаксации при данных исследованиях. Это распределение в каждом случае характеризуется коэффициентом р и связано с величиной т0 для данного диэлектрика. [2]
Из теории диэлектриков известно, что диэлектрическая проницаемость е жидкости после прохождения области дебаевской релаксации в сторону больших частот несколько больше квадрата показателя преломления вещества, экстраполированного к этим значениям частот. Неоднократно высказывалась мысль о том, что это есть результат проявления вращательных качаний молекул жидкости. Недавно Хилл учла [21] в теории Дебая вращательно-колебательное движение молекул жидкости. [3]
Согласно теории диэлектриков, поведение, отражаемое правилом круговой дуги, является результатом стохастического распределения времени релаксации при данных исследованиях. Это распределение в каждом случае характеризуется коэффициентом р и связано с величиной т0 для данного диэлектрика. [4]
К теории диэлектриков относится ряд работ Померанчука по теплопроводности диэлектриков как при низких, так и при высоких температурах. В них показана необходимость учета столкновений с участием четырех фононов, без чего не возникает тепловое сопротивление кристалла. [5]
В работах по теории диэлектриков подробно изучаются явления уменьшения тока и соответственно повышения электрического сопротивления во времени для различных диэлектриков. Установлено, что для технических диэлектриков время, за ко - торое ток практически устанавливается, мало и лежит в пределах 0 1 - 3 мин. Величина же остаточного тока зависит от электропроводности данного материала диэлектрика. [6]
![]() |
Зависимость адсорбции катионов ( 1 и анионов ( 2 от потенциала электрода в 0 1 н. растворе поверхностно-неактивного электролита. [7] |
Как следует из теории диэлектриков, наличие прослойки из молекул растворителя между поверхностью металла и ионами возможно лишь при условии, если диэлектрическая проницаемость в этом слое меньше, чем в объеме раствора. [8]
![]() |
Электрокапиллярные кривые ртутного электрода в различных растворах.| Распределение катионов ( / и анионов ( 2 у поверхности незаряженного электрода при специфической адсорбции ионов. [9] |
Как следует из теории диэлектриков, наличие прослойки из молекул растворителя между поверхностью металла и ионами возможно лишь при условии, если диэлектрическая проницаемость в этом слое меньше, чем в объеме раствора. В противном случае под действием сил зеркального изображения ион должен был бы частично лишиться своей сольватной оболочки и притянуться к поверхности металла на минимально возможное расстояние. [10]
![]() |
Зависимость адсорбции катионов ( 1 и анионов ( 2 от потенциала электрода в 0 1 н. растворе поверхностно-неактивного электролита. [11] |
Как следует из теории диэлектриков, наличие прослойки из молекул растворителя между поверхностью металла и ионами возможно лишь при условии, если диэлектрическая проницаемость в этом слое меньше, чем в объеме раствора. [12]
![]() |
Зависимость адсорбции катионов ( 1 и анионов ( 2 от потенциала электрода в 0 1 н. растворе поверхностно-неактивного электролита. [13] |
Как следует из теории диэлектриков, наличие прослойки из молекул растворителя между поверхностью металла и ионами возможно лишь при условии, если диэлектрическая проницаемость в этом слое меньше, чем в объеме раствора. [14]
В нашем изложении теории диэлектриков мы имели дело только с электрическими явлениями, принимая как факт, что поляризация вещества пропорциональна электрическому полю. Почему возникает такая пропорциональность - вопрос, представляющий, пожалуй, еще больший интерес для физики. Стоит нам понять механизм возникновения диэлектрической проницаемости с атомной точки зрения, как мы сможем использовать измерения диэлектрической проницаемости в изменяющихся условиях для получения подробных сведений о строении атомов и молекул. Эти вопросы будут частично изложены в следующей главе. [15]