Cтраница 3
Теория образования доменных структур и перестройки их под действием внешнего поля, что определяет ход кривых намагничивания, является важнейшим разделом теории магнетизма, тесным образом связанным с техническими свойствами магнитных материалов. [31]
Теория образования трехмерной структуры из разветвленных продуктов, как и теория ветвящихся цепей, не могут объяснить ряд закономерностей, наблюдаемых при полимеризации ненасыщенных олигоэфи-ров, и в частности: аномально высокие скорости полимеризации при малых степенях превращения с увеличением молекулярной массы олигомера, а также с введением в олигомерный блок ароматических ядер и полярных групп; сохранение этих закономерностей при больших глубинах превращений. [32]
Теория образования доменных структур и перестройки их под действием внешнего поля, что определяет ход кривых намагничивания, является важнейшим разделом теории магнетизма, тесным образом связанным с техническими свойствами магнитных материалов. [33]
Теория образования усадочной пористости подсказывает еще один путь получения тонкостенных отливок высокого качества - это литье намораживанием. [34]
![]() |
Зависимость концентрации насыщения С от температуры.| Зависимость интенсивности образования зародышей от степени пересыщения раствора. [35] |
Теория образования центров кристаллизации базируется на предположении о том, что в пересыщенном растворе существуют субмикроскопические зародыши, находящиеся в состоянии равновесия с раствором. Эти зародыши имеют статистическую, флуктуационную природу и могут не только возникать, но и распадаться вследствие теплового движения структурных частиц раствора. Увеличение пересыщения сверх метастабильного состояния приводит к увеличению размеров таких квазикристалликов и к повышению вероятности их роста. Зародыши укрупняются, равновесное состояние системы нарушается и происходит кристаллизация раствора. [36]
![]() |
Зависимость концентрации насыщения ( растворимости от температуры. [37] |
Теория образования центров кристаллизации базируется на гипотезе о том, что в пересыщенном растворе изначально существуют некие субмикроскопические зародыши, находящиеся в термодинамическом равновесии с раствором. Эти зародыши имеют статистическую, флуктуационную природу и могут не только самопроизвольно возникать в местах случайного скопления молекул растворенного вещества, но и распадаться вследствие теплового движения структурных частиц ( молекул) раствора. Увеличение степени пересыщения раствора сверх метастабильного состояния ведет к возрастанию размеров таких квазикристалликов и к увеличению вероятности роста их размеров. Зародыши укрупняются, равновесие между ними и пересыщенным раствором нарушается, вследствие чего происходит кристаллизация растворенного вещества. По мере кристаллизации избыток растворенного вещества сверх его количества, соответствующего насыщенному состоянию раствора, выделяется в виде кристаллов. [38]
Теория образования двойного электрического слоя позволяет удовлетворительно объяснить известные явления электризации жидкости при ее движении относительно твердой фазы. Диффузная часть двойного электрического слоя увлекается потоком жидкости, перенося электрические заряды. При этом заряды переносятся в результате конвекции, электрической проводимости и диффузии. [39]
Теория образования поверхностного скрытого изображения, предложенная Митчеллом [10-15], является, с другой стороны, теорией взаимодействия как дырок, так и электронов с группами атомов и молекул, введенными при химической сенсибилизации. Согласно Митчеллу [10], серебро, переходящее в скрытое изображение во время освещения, присутствовало в галоидосеребряном микрокристалле еще до освещения, а эквивалентное количество брома было удалено при химической сенсибилизации. [40]
![]() |
Зависимость Ah / At от w и Ог [ Л. 117 ]. [41] |
Теория образования связанных золовых отложений указывает на то, что переход слабосвязапных отложений в плотные зависит от скорости газового потока ( см. гл. Учитывая это, была определена максимальная скорость продуктов сгорания, равная 11 7 м / с, при которой еще наблюдалось образование слабосвязанных отложений. [42]
Биогенной теории образования серы придерживался В. И. Вернадский, указывая, что накопление серы происходит в местах, где обитают серобактерии. [43]
Теорию образования галактик нельзя строить, игнорируя или недооценивая общие сведения об эволюции Вселенной, накопленные к настоящему времени. В данном параграфе мы будем широко использовать данные первых двух разделов, а также те сведения о галактиках, о реликтовом излучении и сингулярности, которые излагаются позже, в следующем параграфе, в последних главах раздела III и в разделах IV и V. Связанное с этим неудобство для читателя искупается тем, что общее обсуждение образования галактик не отрывается от изложения отдельных теорий в предыдущих параграфах. [44]
Эта теория образования активных - моль-оксидов 37, которые постепенно превращаются е более устойчивые перекиси, реагирующие или в газовой фазе или на поверхностях, когда их концентрации достигнут критической величины, сильно отличается от гидроксильной теории, предложенной Вопе ом. [45]