Теория - прибор
Cтраница 2
В линейной оптике основой такого описания является принцип Гюйгенса - Френеля, позволяющий с единой точки зрения построить геометрическую ( см. Приложение 1) и дифракционную [7, 8] теории прибора. [16]
 |
Схема Станфордского лазера на свободных электронах, работающего в режиме генератора. Вблизи зеркал, кроме поля ондулятора, использовалось ведущее поле для ввода и вывода электронного пучка ( из. [17] |
Настоящая лекция ставит своей целью дать элементарное введение в физику лазеров и мазеров на свободных электронах, систематизировать основные принципы классических МСЭ и ЛСЭ, изложить основы теории приборов данного класса. Лекция построена следующим образом. При этом подробно рассматривается история создания первого ЛСЭ - убитрона. [18]
Теория прибора типа Астона распространена на случай больших углов отклонения. Предложены способы увеличения ионного тока и улучшения разрешающей силы масс-спектрометра. [19]
В монографии приводится необходимая теория методов измерения расхода и количества жидкостей, газов и пара. Что же касается теории приборов и расчетов, связанных с их конструированием, то этот материал читатель сможет найти в литературе, список которой приложен в конце книги. [20]
Например, трудно определить положение переходов, образующихся при формовке; не поддаются измерению удельные сопротивления и время жизни носителей заряда в формованных областях полупроводника. Тем не менее на основании теории плоскостных приборов можно утверждать, что для получения низкого тока насыщения желательно иметь малое удельное сопротивление и большое время жизни носителей заряда в исходном материале. Подробно этот вопрос рассмотрен в гл. [21]
Рассмотренный прибор управления артиллерийским зенитным огнем является одним из высококачественных приборов. Он разработан с использованием основных положений теории приборов управления. [22]
В данной главе рассмотрены основные типы систем с гомогенным переходом ( образующимся между областями п - и р-типов проводимости одного и того же полупроводникового материала), гетерогенным переходом и гетероструктурой ( у которых переход расположен на границе раздела двух различных полупроводниковых материалов) и приборы на основе переходов других типов, а именно: со структурой металл-полупроводник ( барьер Шоттки), а также металл-диэлектрик-полупроводник ( МДП) и полупроводник-диэлектрик-полупроводник ( ПДП), в состав которых входит промежуточный слой диэлектрика. Эта глава не является исчерпывающим курсом по теории приборов с электронно-дырочным переходом. В ней изложено, скорее, введение в такой курс и представлен обзор по основным вопросам, связанным с принципом действия солнечных элементов. [23]
Подчеркивается основная разница между индуктивной и емкостной машинами: необходимость в потокопроводе только в первой из них. Определяется сила, действующая на проводник с током в магнитном поле и на этой основе - теория приборов магнитоэлектрической системы. VII, такое изучение основ теории электрических машин и измерительных приборов, помимо приложения теории к практике, обеспечивает сознательную работу в лаборатории ТОЭ. [24]
Элементы эквивалентной схемы выражаются через фундаментальные параметры. Характеристики прибора, включенного в схему, легко связываются с параметрами самого прибора. В этом случае теория приборов и теория цепей тесно переплетаются. С течением времени задачи разработчика схем и разработчика приборов все теснее сближаются. [25]
Если говорить о развитии вакуумной релятивистской электроники, то можно сказать, что она много с пользой позаимствовала и заимствует у своей нерелятивистской предшественницы. Таким же путем идет и релятивистская плазменная электроника, поэтому весьма важным является вопрос о том, что сделано в нерелятивистской высокочастотной плазменной электронике. Очевидно, что теорию релятивистских плазменных приборов можно свести к теории слаборелятивистских аналогов х), а многие из оригинальных конструктивных решений использовать в сильноточных устройствах. Поэтому кратко рассмотрим в этом разделе некоторые приборы нерелятивистской плазменной СВЧ-электроники. [26]
Изображения на осциллографе двух таких импульсов, соответствующих ионам, совершившим, например, 2 и 11 оборотов, смещенные один относительно другого, могут быть совмещены и, таким образом, определена разность времени. Хотя продолжительность каждого импульса обычно достигает 5 - 10 - 7 сек, она может быть доведена до 10 - 8 сек, особенно при условии, что импульсы по желанию разделены или совмещены; при этом их относительное усиление также может изменяться. В соответствии с теорией прибора время пролета иона должно быть пропорционально его массе, но вследствие слабого магнитного поля, используемого для увеличения продолжительности времени, энергия иона при массе 100 составляет всего 25 эв, так что даже небольшие рассеянные электрические поля могут вызвать небольшое отклонение от линейности. Отклонения измеряются путем калибровки прибора по двум пикам, расстояние между которыми известно. Эти сведения используют для уточнения цифр, полученных для разностей импульсов известной и неизвестной масс, которые вместе образуют слишком близкий дублет. Аналогичная калибровка дисперсии по массам, проведенная Ниром и сотрудниками, описана ниже. Для достижения возможно большей точности могут быть использованы три стандартные массы [1693], обеспечивающие получение поправочной величины высшего порядка. [27]
В этом приборе колесо вращается вокруг оси, неподвижно - ориентированной относительно основания, которое плавает в ртути. Остающиеся силы трения сведены, таким образом, к возможному минимуму. Ось ОС имеет, однако, в таком случае уже две степени свободы, и теория прибора должна быть видоизменена ( фиг. [28]
Интенсивное развитие радиоэлектроники за последние два десятилетия значительно расширило круг вопросов, охватываемых термином электроника СВЧ, поэтому сколько-нибудь подробное изложение их в одной книге вряд ли возможно. В настоящей книге рассмотрены физические процессы только в приборах электронно-лучевого типа, в которых траектории электронов в пространстве взаимодействия близки к прямолинейным. Вторая часть книги Лампы с длительным взаимодействием электронного потока и электромагнитного пеля, написанная Клееном и Пешлем и выпущенная в 1958 г., также переводится на русский зык. Обе книги достаточно полно знакомят читателя с основами теории приборов ОВЧ электронно-лучевого типа. [29]
В эту книгу будут включены также другие аспекты теории лазера, например оптическая бистабильность. В то время как в обычных лазерах накачка осуществляется некогерентно, приборы с оптической бистабильностью могут рассматриваться как лазеры, которые управляются когерентно внешним полем. Поэтому многие теоретические методы, разработанные для лазеров, применимы и к анализу оптической бистабильности. Обстоятельный теоретический анализ этого явления был дан Луджато и другими авторами. Термин оптическая бистабильность обусловлен тем, что при подходящих условиях пропускание света через резонатор, заполненный атомами, может принимать два разных значения. Теория прибора с оптической бистабильностью вселяет надежды на то, что будет создан оптический транзистор. [30]
Страницы: 1 2 3