Cтраница 1
Теории проводимости в неионных органических кристаллах обычно классифицируются как собственные или примесные. Значение этих терминов, к сожалению, изменяется в зависимости от автора. [1]
Теория проводимости скользящего контакта через угольные зерна и теория ионной проводимости не должны резко противопоставляться друг другу. Мы считаем наиболее вероятным, что в области относительно устойчивого контакта, который имеет место под большей частью щетки, определяющим фактором является проводимость через угольные зерна, в то время как в зоне, примыкающей к сбегающему краю щетки, приходится серьезно учитывать явления ионизации газового промежутка и принимать во внимание наличие ионной проводимости. Во всяком случае здесь речь идет лишь о той или иной интерпретации механизма прохождения тока по переходному слою. [2]
Хотя теорию проводимости Друде можно улучшить, рассматривая электроны как свободные частицы, рассеиваемые на решетке, наличие решетки, в которой электроны движутся, оказывает влияние на сами электронные состояния даже в отсутствие внешних полей. [3]
Если исходить из теории проводимости через угольные зерна, которую в дальнейшем мы будем называть корпускулярной теорией, приходится считаться с тем, что процесс выделения зерен в переходный слой и удаления их из него протекает с запаздыванием по сравнению с процессом изменения тока. Понятно, что тепловая инерция имеет значение и с точки зрения корпускулярной теории. [4]
В соответствии с теориями проводимости ионов водорода ионы Н3О образуются лишь временно в связи с перескоком протона. Тогда возникает вопрос о вкладе в проводимость ионов водорода гидродинамической миграции ионов оксо-ния. На самом деле, время перескока протона примерно 10 - 14 с, среднее же время жизни иона Н3О порядка 10-и - Ю 12-с. Следовательно, большую часть времени ( - - 99 %) протон существует в виде иона Н3О, а его переход от одной молекулы к другой требует относительно короткого промежутка времени. Далее, ионы Н3О в момент образования находятся в покое относительно электрического поля. [5]
Были сделаны попытки уточнения теории проводимости путем введения ионного диаметра а. При этом снова исходили из уравнений непрерывности, решение которых должно удовлетворять определенным граничным условиям для функций распределения или средних потенциалов. [6]
Действительно, если исходить из теории проводимости через точки непосредственного контакта, шунтированные при достаточно большой плотности тока ионной проводимостью, приходится считаться с тепловой инерцией точек контакта. [7]
Имеется определенный успех и в теории проводимости и рассеяния в режиме квантования в тонких пленках. Демиховский и Тавгер [126] рассмотрели случай невырожденной полупроводниковой пленки с зеркальными поверхностями. [8]
Укажем, что переход к теории проводимости в приближении Зоммерфельда позволяет связать проводимость со смещением сферы Ферми. [9]
Понятие эффективной массы оказывается исключительно полезным в теории проводимости, а также в других областях физики твердого тела ( см. гл. [10]
Изложенная выше трактовка электронного катализа, основанная в общем на примесной теории проводимости, находится в противоречии с рядом экспериментальных данных. [11]
Несмотря на значение электронных представлений в катализе, изложенная выше трактовка, основанная на примесной теории проводимости, находится в некотором противоречии с рядом экспериментальных данных. Вкратце укажем на основные из них. [12]
Объяснения уменьшения входной активной проводимости в схеме с общей сеткой в диапазоне СВЧ базируются на формулах (2.14) и (2.31), следующих из теории проводимости диода на СВЧ. Однако такое объяснение можно дать и исходя из рассмотрения обратной связи, обусловленной тем, что анодный ток лампы замыкается на сеточную цепь. При отсутствии запаздывания этого тока по отношению к сеточному напряжению обратная связь нагружает сеточную цепь, что и имеет место на обычных частотах. В диапазоне сверхвысоких частот имеется значительное запаздывание анодного тока по сравнению с сеточным напряжением и обратная связь оказывается положительной и уменьшает потери в сеточной цепи. [13]
Рассмотрим поведение электронов в идеальном кристалле. Из теории проводимости Друде - Лоренца мы уже знаем, что кристалл можно представить в виде кристаллической решетки, в узлах которой находятся ионы, и электронного газа. Тогда задача изучения поведения носителей заряда в кристалле сводится к рассмотрению влияния периодического поля решетки кристалла на движение электронов. Поэтому известно, что электрон является квантово-механической частицей и его поведение даже в свободном пространстве не может описываться классической физикой, рассмотрение естественно проводить на базе представлений квантовой механики. Поэтому целесообразно вспомнить некоторые основные положения квантовой механики. [14]
Рассмотрим поведение электронов в идеальном кристалле. Из теории проводимости Друде-Лоренца мы уже знаем, что кристалл можно представить в виде кристаллической решетки, в узлах которой находятся ионы, и электроннсго газа. Тогда задача изучения поведения носителей заряда в кристалле сводится к рассмотрению влияния периодического поля решетки кристалла на движение электронов. Известно, что электрон является квантовомеханической частицей и его поведение даже в свободном пространстве не может описываться классической физикой, рассмотрение естественно проводить на базе представлений квантовой механики. Поэтому целесообразно вспомнить некоторые основные положения квантовой механики. [15]