Теория - кристаллическая решетка
Cтраница 3
Первая попытка объяснить явление спайности в кристаллах принадлежит О. Исходя из развитой им теории кристаллических решеток, он высказал гипотезу, что плоскости спайности проходят параллельно сеткам с наибольшей ретикулярной плотностью, ибо такие сетки отстоят в решетке друг от друга на максимальных расстояниях. Эта идея была бы верна, если бы структурной единицей в кристаллах являлись изометричные молекулы, как это думал Бравэ. В этом случае, очевидно, максимальное расстояние между ними определяло бы наиболее слабые связи и обусловливало существование по этим направлениям плоскостей спайности. Однако такой упрощенный подход к явлению спайности может оправдаться только в простейших частных случаях, например в графите. [31]
 |
Разрез структуры сфалерита ZnS нормально к граням куба, ромбододекаэдра и октаэдра. [32] |
Первая попытка объяснить явление спайности / в кристаллах принадлежит О. Исходя из развитой им теории кристаллических решеток, он высказал гипотезу, что плоскости спайности проходят параллельно сеткам с наибольшей ретикулярной плотностью, ибо такие сетки отстоят IB решетке друг от друга а максимальных расстояниях. Эта идея была бы верна, если бы структурной единицей в кристаллах являлись изометричные молекулы, как это думал Бравэ. Однако такой упрощенный, с современной точки зрения, подход к явлению спайности может оправдаться только IB простейших частных случаях, например в графите. [33]
Более точный расчет спектра колебаний практически стал возможен только в последнее десятилетие. При расчете спектра с по-пощью теории кристаллической решетки принимаются во внимание центральные силы, действующие между ближними и ближайшими соседними атомами. [35]
Мак-Уан и другие [78] на основании модельных расчетов в рамках дифракционной теории пришли к выводу, что отражающая способность должна уменьшиться, а ширина полосы останется без изменения. Этот вывод соответствует роли тепловых эффектов в теории нормальных кристаллических решеток и называется эффектом Дебая-Уаллера. Для кристаллических решеток тепловое движение увеличивает диффузное рассеяние вне брэгговских пиков. Тот же эффект должен наблюдаться и в МИС. Во всяком случае аналогия между рассеянием в МИС и в кристаллах должна наблюдаться, если ошибки в периоде являются случайными, если величина их не слишком велика и если в процессе отражения участвует достаточно большое число слоев. [36]
Для большинства практических целей достаточно рассматривать И. Причины несоответствия поведения систем растворитель - полимер точным закономерностям, вытекающим из статистических уравнений, основанных на теории кристаллических решеток, обсуждались во многих работах, и поэтому нет необходимости подробно разбирать их в данной главе. Для описания S-образных кривых типа III, наблюдаемых при сорбции в полярных системах, предложено несколько уравнений изотерм адсорбции. Эти уравнения основываются на той концепции, что проникающее вещество сорбируется по крайней мере по двум механизмам. [37]
Для большинства практических целей достаточно рассматривать L. Причины несоответствия поведения систем растворитель - полимер точным закономерностям, вытекающим из статистических уравнений, основанных на теории кристаллических решеток, обсуждались во многих работах, и поэтому нет необходимости подробно разбирать их в данной главе. Для описания S-образных кривых типа III, наблюдаемых при сорбции в полярных системах, предложено несколько уравнений изотерм адсорбции. Эти уравнения основываются на той концепции, что проникающее вещество сорбируется по крайней мере по двум механизмам. [38]
Мы хорошо знаем строение ионных и металлических кристаллов, хорошо знаем геометрическую сторону пластической деформации в них, имеем теорию кристаллической решетки, которая позволяет вычислять некоторые упругие константы кристаллов, их поверхностную энергию и некоторые другие характеристики, но мы не имеем законченного и единообразного представления о физической сущности пластичности, мы не умеем исчерпывающе объяснить упрочнение и отдых, мы не понимаем достаточно ясно, почему металлические кристаллы могут пластически деформироваться даже при абсолютном нуле. [39]
Однако хорошо известно, что величина механической прочности обычно во много тысяч раз ниже, чем можно было бы ожидать из теории кристаллических решеток. Это противоречие теряет силу при более внимательном рассмотрении механизма разрыва. Местное напряжение в области разрыва всегда во много раз больше, чем средняя его величина, отнесенная ко всему поперечному сечению. Лучшим доказательством этого являются блестящие опыты Гриф-фитса по влиянию нарушения сплошности на механическую прочность стекла при разрыве. [40]
Наличие такого рода дефектов в структуре твердых тел, как известно, существенным образом сказывается на их механических свойствах. Влияние дефектов структуры, развивающихся в процессе деформации твердого тела прежде всего проявляется в резком снижении его прочности по сравнению с наибольшим теоретическим значением прочности, вычисляемым, например, из теории кристаллической решетки. [41]
Вызывает большое сожаление, что эта оригинальная статья редко попадает в руки современных читателей. В ней очень много такого материала, который годился бы для любого стандартного учебника: канонические преобразования и их использование в теории возмущений, соотношения коммутации для момента количества движения и все получающиеся из них следствия, существование одновременно дискретного и непрерывного спектра, двучленная формула для флуктуации энергии поля излучения ( здесь приводится также сравнение с соответствующей ситуацией в теории кристаллической решетки) - все это содержится в статье, и можно не сомневаться, что доля участия в ней Макса Борна была весьма существенной. [42]
Образование структур типа замещения примесью связано обычно с увеличением энергии системы Д Е за счет введения атома в решетку. Их образование протекает с увеличением энтропии за счет энтропии растворения, чаще называемой энтропией смешения. Расчет подобных эффектов очень важен для теории кристаллической решетки, и мы вернемся к нему в главе IV. Здесь мы ограничимся указанием, что подобные расчеты осуществляются на основе уравнения Больц-мана. [43]
Образование структур типа замещения примесью связано обычно с увеличением энергии системы за счет введения атома в решетку. Их образование протекает с увеличением энтропии за счет энтропии растворения. Расчет подобных эффектов очень важен для теории кристаллической решетки, и мы вернемся к нему в § VII. Здесь мы ограничимся указанием, что подобные расчеты осуществляются на основе уравнения Больцмана, широко применимого для любых агрегатных, состояний. [44]
На первый взгляд тот факт, что в макроскопических объектах, которыми являются твердые тела, могут проявляться квантовые эффекты, кажется парадоксальным. Следует, однако, помнить, что каждый монокристалл представляет, по существу, одну гигантскую молекулу ( ср. III, где были изложены некоторые качественные основы теории кристаллических решеток. [45]
Страницы: 1 2 3 4