Cтраница 1
Теория полупроводниковых усилителей сильно отличается от теории обыкновенных вакуумных ламп. Поэтому читатель должен быть готов к тому, что ему придется довольно тщательно изучить некоторые основные принципы современной физики, которые не столь трудны, но значительно отличаются от тех принципов, с которыми он знакомился при изучении обычной электроники. Для этого необходимы ясный ум и готовность воспринимать идеи, которые, казалось бы, противоречат давно установившимся и глубоко вкоренившимся классическим представлениям. Чтобы лучше оценить и усвоить эти новые идеи полезно перечитывать заново наиболее трудные главы. [1]
При изучении теории полупроводниковых усилителей необходимо постоянно иметь в виду тот факт, что носители тока могут быть разных знаков. [2]
При изучении теории полупроводниковых усилителей читателю придется воспринимать радикально новые физические идеи, отличные от тех, с которыми ему приходилось встречаться ранее. [3]
При рассмотрении теории полупроводниковых усилителей необходимо обратить особое внимание на микроструктуру твердых тел, так как в дальнейшем выяснится та важная роль, которую играет взаимодействие электрона с его окружением в твердом теле. [4]
Из предыдущего рассмотрения теории полупроводниковых усилителей читателю известно, что на электроды полупроводникового триода должны быть поданы напряжения смещения. Подобно тому как напряжениями смещения устанавливается определенная рабочая точка электронной лампы, так и для полупроводникового триода нужная рабочая точка устанавливается соответствующими напряжениями смещения эмиттера и коллектора. [5]
В заключение подытожим те важнейшие выводы из изложенного в этой главе, которые будут существенно необходимы для дальнейшего изучения теории полупроводниковых усилителей. [6]
Эта глава, посвященная рассмотрению свойств электрона, а также предыдущая глава об основных принципах квантовой механики позволяют читателю более глубоко вникнуть в теорию полупроводниковых усилителей. [7]
В этой новой, не исследованной отрасли техники ощущается острая и непрерывно растущая потребность в техническом персонале, специализирующемся в области электроники и знакомым с теорией полупроводниковых усилителей. Настоящая книга может помочь вступить в этот новый и увлекательный мир всем, кто знаком с основами общей электроники. [8]
В трех предыдущих главах обсуждались те относящиеся к общей теории полупроводниковых усилителей вопросы, с которыми обычно не приходится сталкиваться при изучении свойств вакуумных приборов в электронике. Было дано упрощенное представление о работе полупроводниковых усилителей, затем были рассмотрены некоторые основные принципы квантовой механики, знание которых необходимо для лучшего понимания теории полупроводниковых усилителей. Кроме того, вкратце разбирался вопрос о природе электрона, что необходимо для анализа микроструктуры твердых тел, применяемых для изготовления полупроводниковых усилителей. [9]
Другими словами, электроны никогда не наблюдаются на уровнях в этих сериях. Такие группы энергетических уровней называются запрещенными полосами, или запрещенными зонами. Концепция энергетических полос и запрещенных зон исключительно важна для изучения полупроводников и понимания теории полупроводниковых усилителей. [10]
Так же как в любой другой отрасли знаний, в физике полупроводников используется специфическая терминология. Далеко не все свойства полупроводников могут быть объяснены с помощью представлений, употребляемых в обычной электронике. Чтобы попытаться отчетливо понять терминологию, употребляемую обыкновенно в работах по полупроводникам и полупроводниковым усилителям, надо сделать очень общие предположения об основных свойствах материи. Например, при исследовании полупроводниковых усилителей очень трудно избежать употребления таких терминов, как энергетические уровни, запрещенные зоны, квантовые состояния. Эти термины будут более понятны, если читатель ознакомится сначала с основными принципами квантовой механики. Поэтому в этой главе будут изложены некоторые из наиболее простых принципов, чтобы заложить основы для дальнейшего изучения свойств полупроводников и успешного построения теории полупроводниковых усилителей. [11]