Теория - возникновение
Cтраница 1
 |
Диаграмма, объясняющая условия возникновения внезапного хрупкого разрушения при статическом нагружении с исходной точкой у надреза или первоначальной трещины глубиной lv. [1] |
Теория возникновения и развития хрупкого разрушения играет важную роль при объяснении преобладающего большинства разрушений. [2]
Теория возникновения этих цветов на металле обсуждается в приложении ( стр. Цвет зависит главным образом от толщины пленки, и если толщина падает ниже определенной величины ( вероятно, около 400А, или 4 - 10 - 8 см, в случае окисных пленок на железе), пленка не дает видимых изменений поверхности металла. Последовательность почти одна и та же для всех соединений ( окиси, сульфиды и иодиды) и для всех металлов; однако в том случае, если прозрачность пленки недостаточна, последующие цвета, соответствующие толстым пленкам, слабы или вовсе отсутствуют. Окись никеля дает весьма прозрачные пленки, и поэтому никель, нагретый в воздухе, может дать полную последовательность по меньшей мере пяти порядков - красный цвет появляется пять раз. Подобную же последовательность дают пленки гидроокиси алюминия, окиси свинца и йодистого серебра, которые также весьма прозрачны. [3]
Теория возникновения и развития поверхностной конвекции и практический опыт свидетельствуют о значительной роли величины продольного градиента поверхностного натяжения. Поскольку теория кратковременного контакта фаз рассматривает массопередачу на начальном участке, механизм поверхностной конвекции целесообразно исследовать именно в этих условиях. Специфика процесса хемосорбции, связанная с существенно большей скоростью переноса по сравнению со скоростью при физической массопередаче, предполагает возможность значительного изменения величины поверхностного натяжения. [4]
Теория возникновения трещин в результате накопления дислокаций и дальнейшего развития этих трещин предполагает, что напряжение, необходимое для развития микротрещины, выше напряжения, необходимого для образования исходного нарушения непрерывности материала, так как в противном случае каждая микротрещина приводила бы к разрушению детали, что противоречит данным опыта. Очень важным критерием развития трещины является наличие критического напряжения. [5]
 |
Схема процессов в жидкостной мембране. [6] |
Теория возникновения потенциала в случае жидкостных мембран основана на учете распределения вещества между двумя несмешивающимися жидкостями. Наблюдаемые при этом закономерности достаточно сложны. [7]
Теория возникновения детонации объясняет причины различия в распространении пламени в коротких и длинных трубках, при зажигании газовой смеси у закрытого или открытого конца трубки, а также при зажигании газовой смеси в центре сферического сосуда. Хорошо известно, что при зажигании газовой смеси в центре сферического сосуда детонация не возникает. Это объясняется отсутствием торможения и постоянством профиля пламени при горении газовой смеси. [8]
Теория возникновения автоколебаний при обработке и расчет устойчивости металлорежущих станков. [9]
 |
Принципиальная схема эллипсометра. Л - лазер. Ф - фотоэлектрический приемник света. П - поляризатор. А - анализатор. К - компенсатор. М - модулятор света. [10] |
Теории возникновения эллиптичности для тонких слоев металлов см. в [6]; для моно -, бимолекулярных и подобных им слоев также разработаны нек-рые теоретич. [11]
Теория возникновения новой фазы используется также в теории роста кристаллов. Еще Гиббс отметил, что процесс роста идеального кристалла происходит таким же образом, как и возникновение новой фазы: возникновение нового слоя частиц в кристалле связано с постройкой двумерного зародыша нового слоя, для образования которого необходимо затратить энергию. [12]
Таунсендовская теория возникновения разряда не противоречит наблюдениям вплоть до значений произведения pi s 500 тор. Снимки в камере Вильсона ( см, разд. IV, § 1) показывают, что пространственные заряды, возникающие от медленных положительных ионов, приводят к образованию каналов, в которых концентрируется разряд и которые чрезвычайно быстро продвигаются вперед. В этих случаях, следовательно, пространственный заряд, который до сих пор не учитывался, играет решающую роль. При значениях pi выше 16060 тор-см и это объяснение представляется не вполне удовлетворительным. [13]
Теория возникновения внутренних напряжений рассмотрена здесь на примере покрытий, отверждаю-щихся в результате испарения растворителя, однако полученные уравнения и закономерности справедливы для любых способов отверждения покрытий. [14]
Теория возникновения новой фазы имеет прямое отношение к рассмотрению проблемы роста кристаллов, к которым также применялись изложенные выше представления. [15]
Страницы: 1 2 3 4