Cтраница 1
Теория дефектов непосредственно применима к реакциям в твердом состоянии, в том случае, когда тонкокристаллические высокодисперсные агрегаты образуются при дегидратации гидратов ( см. С. [1]
Для теории дефектов наибольший интерес представляет ц, г - [ Afi г - повышение химического потенциала относительно бесконечно больших кристаллов. [2]
Согласно теории дефектов ионной решетки Шоттки и Вагнера, следует ожидать, что число положительных дырок или электронов, находящихся в термодинамическом равновесии с парами брома или металлическим серебром, абсорбированными кристаллом, зависит от степени беспорядка решетки. Идеальная решетка не способна абсорбировать в сколько-нибудь заметном количестве какие-либо заряженные частицы, независимо от знака их заряда. Константа скорости пропорциональна концентрации электронов, но степень беспорядка может быть сильно изменена введением в решетку бромида серебра двухвалентных катионов, например ионов Cd 2, которые увеличивают число вакантных серебряных узлов и одновременно уменьшают число междоузельных ионов Ag и вакантных бромных узлов. Опытами Юнга [2] было показано, что при прочих равных условиях увеличение концентрации ионов Cd 2 вызывает значительное ( до 50 раз) увеличение константы скорости движения ионов серебра и почти такое же уменьшение константы скорости движения ионов брома. Оба ЭУИ результата прекрасно согласуются с теорией дефектов кристаллической решетки и позволяют оценить степень ее беспорядка. [3]
Берри, теории дефектов основаны на предположении о том, что прочность хрупких материалов обусловлена наличием слабых мест в образце. Это приводит к такому искажению поля напряжений, которое вызывает развитие процесса разрушения путем роста наибольшего, соответственно ориентированного дефекта, когда достигается критическое растягивающее напряжение. [4]
Поэтому методы теории дефектов оказываются наиболее полезными при качественном рассмотрении вопросов, но чаще всего они недостаточно точны для количественного анализа и толь - ко дают возможность оценить нижний предел возможных отклонений решетки от идеальной. [5]
С позиций теории дефектов и зародышей объясняется автокаталитический характер термического распада в случае отсутствия твердого продукта или границ раздела фаз. Возникшие зародыши распространяются по поверхности и дислокационной сетке кристалла, расширяя реакционную зону. [6]
На основании теории дефектов, разрушающее напряжение лимитируется размером наибольшего дефекта в образце перед разрушением. К сожалению, сущность растрескивания еще неясна, поэтому его трудно характеризовать количественно. Было определено влияние температуры, молекулярной структуры, молекулярного веса и предварительной ориентации на размер Характерного дефекта, но влияние этих факторов относительно невелико и его довольно трудно объяснить. [7]
В рамках теории планарных дефектов возможно построение последовательной модели фрагментации путем решения соответствующих систем уравнений в самосогласованной формулировке. Отметим только, что при расчете пластических полей вклад от дисклинаций по сравнению с вкладом от границ и поворотов фрагментов как целого может оказаться весьма незначительным. [8]
При сопоставлении теории дефектов кристаллов с опытным материалом ( не только в катализе, но и для других структурно-чувствительных свойств) постоянно приходится сталкиваться со следующим противоречием общего порядка. [9]
Имеется перевод: Стоунхэм А. М. Теория дефектов в кристаллах. [10]
Развитый аппарат позволяет сформулировать предмет теории дефектов для кусочно-неоднородных сред, например для фрагмента-рованных кристаллов. Предположив, что каждый фрагмент способен, во-первых, перемещаться и поворачиваться как целое, во-вторых, дополнительно испытывать пластические дисторсии, можно разбить всю задачу на две части. [11]
Отсюда следует, что использованию теории дефектов в гетерогенном катализе должно предшествовать решение двух проблем - установление физической природы активных центров и разработки теории дефектов поверхности неидеальных кристаллов. Рассмотрению первого вопроса посвящена существующая в настоящее время теория активных центров. В данной работе мы рассмотрим теорию дефектов поверхности неидеальных кристаллов как теорию активных центров катализаторов. [12]
Существуют различные приемы введения в предмет теории скомпенсированных дефектов, из которых наиболее распространена [220] техника анализа петель и диполей, дефектов. [13]
Развиваемая в данной работе теория является теорией дефектов, непрерывно распределенных в материале. Поэтому невозможно с ее помощью дать ответы на вопросы, связанные с задачами о единичной дислокации или дисклинаций. Переход от континуальной теории к дискретной очень сложен. Здесь неясным является тип сингулярности, который должны иметь внутренние полевые переменные ф и W % для того, чтобы появилась возможность описывать единичный дефект. [14]
Это вызвано тем, что существующий аппарат теории дефектов применяется только для определения степени тепловой диссоциации идеальной решетки. [15]