Элементарная теория

Cтраница 2

Элементарная теория, изложенная в гл. Здесь мы получим те же уравнения, отправляясь от общих законов теории упругости. Дифференциальные уравнения приближенной теории получаются как уравнения Эйлера вариационной задачи для функций от переменных, число которых меньше трех. [16]

Элементарная теория Ренкина - Грасхофа ( см, стр. [17]

Элементарная теория распыления, предложенная Л. К. Рам-зиным, может быть принята в качестве первого приближения для прямоструйных форсунок. [18]

Элементарная теория распыления, предложенная Л. К. Рамзиным, может быть принята в качестве первого приближения для прямоструйных форсунок. [19]

Диаграммы Фейнмана для Комптона эффекта. е, v и 7 е, т - электрон и фотон соответственно и начальном и конечном состояниях. е - виртуальный электрон в промежуточном е состоянии. [20]

Элементарная теория эффекта была дана А. [21]

Элементарная теория расчета таких соединений состоит в следующем. Ns, Nt Nz - Обозначим: 5 - толщина клеевых слоев; GK - модуль сдвига в них; 1т ] к - допускаемое касательное напряжение для клея; b - ширина листов. Касательные напряжения х в клеевом слое по толщине и длине распределены равномерно. [22]

Элементарная теория ЯМР была изложена в разд. В этой главе мы коснемся тех сторон ЯМР, которые имеют практическое значение при решении проблем структурной органической химии. Обсуждение будет ограничено протонным резонансом, поскольку протон является единственным магнитным ядром, которое встречается почти во всех органических соединениях; отметим также, что органические соединения обычно исследуются в растворе, так что нам не придется рассматривать спектры твердых соединений, хотя само по себе это составляет важную область исследования. [23]

Элементарная теория процесса на утомляющемся катализаторе исходит из допущения, что в каждый момент времени реакция протекает только в тонком слое близ границы уже отравленной и работоспособной частей реактора. Это предположение оправдывается с тем большей точностью, чем интенсивнее идет реакция на неотравленном катализаторе и чем быстрее происходит отравление. Локализации процесса в тонком слое способствует и разогрев зоны реакции при адиабатическом протекании реакции с положительным тепловым эффектом. [24]

Элементарная теория представлений говорит, что для всякой конечной группы Г комплексная групповая алгебра С [ Г ] полупроста, а значит, является прямой суммой матричных колец. Если группа Г Н абелева, то абелевым является и кольцо С [ Г ] С [ / / ], и тогда все эти матричные кольца одномерны. [25]

Элементарная теория излучения на основе квантовых представлений была создана Эйнштейном. Тем не менее, она позволяет, опираясь на современную квантовую механику, решить вопрос об интенсивностях излучения и поглощения света. [26]

Элементарная теория электричества, необходимая для понимания последующих разделов, здесь излагается в общих чертах. [27]

Элементарная теория поля К ( х), сигнатура которой состоит лишь из f и х, рекурсивно неразрешима. [28]

Элементарные теории класса всех конечных колец с тождеством рх 0 ( р - фиксированное простое) и класса всех конечных колец неразрешимы. [29]

Элементарная теория класса всех конечных метабелевых групп с тождеством хр 1 ( р - нечетное простое) неразрешима. [30]

Страницы: 1 2 3 4