Cтраница 1
Статистическая теория активной поверхности является следующей, после теории пересыщения, ступенью в познании сущности каталитической способности твердых тел. [1]
В статистической теории активных поверхностей скрыты весьма большие возможности, ждущие своего исследователя. Совершенно очевидно, что однородность или неоднородность поверхности, а для неоднородных поверхностей - тип распределения, имеет хотя и не непосредственное отношение к оценке качества контактов. Применяемые для этого в лучших работах величины экспериментально наблюдаемых констант скоростей и энергий активаций не дают достаточно полной характеристики катализатора. Единообразие участков при оптимальных значениях кинетических и адсорбционных констант является преимуществом, но в этом случае велика вероятность несовпадения свойств контакта с желаемыми, что влечет за собой полное отсутствие активности. Напротив, для широко неоднородных поверхностей значительно больше вероятность того, что хотя одна какая-нибудь группа участков будет обладать желаемыми свойствами. Такие поверхности должны быть менее чувствительными и более устойчивыми к влиянию ядов. Между однородными и широко неоднородными поверхностями должна быть существенная для сложных реакций разница в специфичности. [2]
Рогинский разработал статистическую теорию активной поверхности. [3]
Эта величина в статистике называется плотностью вероятности; в статистической теории активной поверхности она получила название функции распределения. [4]
Эта величина в статистике называется плотностью вероятности; в статистической теории активной поверхности она получила название функции, распределения. [5]
Если отказаться от детализации строения активных центров, то представляется возможным построить статистическую теорию активной поверхности. Такая теория была создана Рогинским12 и известна под названием теории пересыщения. В этой теории устанавливается связь между условиями приготовления катализатора, свободной энергией поверхности и ее каталитической активностью. [6]
Именно эти положения и легли в основу статистической теории активной поверхности. [7]
Количественное описание таких систем требует применения статистических методов теоретического исследования и особых статистических характеристик. За последние годы, благодаря трудам советских исследователей, достигнуты большие успехи в развитии статистической теории процессов на неоднородных поверхностях. Статистическая теория активной поверхности вооружает исследователя, работающего в области катализа, новыми методами изучения катализатора и процесса. [8]
Подробно рассматриваются методы измерения адсорбции и результаты этих измерений. Мультиплетная теория катализа рассматривается как основное звено современной теории катализа. Подчеркивается необходимость структурного и энергетического соответствия. Подробно излагаются принципы подбора катализаторов в реакциях каталитической гидрогенизации. Указывается, что накопление данных по энергиям связи с атомами катализатора является одной из основных задач катализа в настоящее гарем я. Изложение строится на богатейшем материале каталитических превращений углеводородов и спиртов. Подчеркивается единство механизмов активации Н2, О2 и N2, несмотря на существенные различия, вызванные валентностью. Подчеркивается, что в более сложных условиях пространственные факторы выступают на первый план. Излагаются работы Бики, Элея, Эммета. Теория активных ансамблей рассматривается в ее эволюции, главным образом в сторону уточнения взаимодействия аморфной и кристаллической фаз. Показывается промежуточное значение аморфной фазы как переходной к гомогенному катализу. Рогииского рассматривается решающая роль химического состава катализатора и вопросы статистической теории активной поверхности. Подчеркивается необходимость развития электрон-рой теории катализа и особенности катализа на полупроводниках ( С. Все большее значение в курсе приобретают вопросы измерения электропроводности, магнитных свойств и потенциалов катализаторов как методы, позволяющие наблюдать за состоянием катализатора во время адсорбции и реакции. В этой связи излагаются работы Римеккера, Миньоле, Шваба, Рогинского. Подробно излагаются работы Фрумкина по э лектродным процессам и Фрумкина и Шлыгина по кривым заряжения. [9]