Cтраница 2
![]() |
Микрофотография лабиринтных доменов, образовавшихся при приложении перемагничнвающего поля, величиной 4 Э, под углом 880 к ЛО, сделанная в электронном микроскопе. [16] |
В настоящее время детальной теории процесса зароды-шеобразования, включающей вращение намагниченности, не существует. [17]
Прежде чем представить детальную теорию, дадим простое доказательство того, как исчезновение поглощения в данной системе может привести к лазерной генерации без инверсии. [18]
В работах Смолуховского содержится детальная теория флюктуации, подтвержденная многочисленными экспериментальными исследованиями. [19]
Существует острая необходимость в разработке детальной теории процесса плавления огнеупорных материалов. Очевидна также желательность получения более точных данных о процессах плавления в некоторых типичных системах, так как в настоящее время погрешности в измеренных тепло-тах плавления многих огнеупорных окислов достигают нескольких ккал / моль, а для А12О3 даже 20 ккал / моль. [20]
В 1937 г. Джонс разработал детальную теорию фазовой границы а - р в системе Си - Zn, в которой за твердым раствором а с кубической гранецентрированной решеткой следует промежуточная фаза Р с кубической объемноцентрированной решеткой. Приняв одинаковые значения атомного объема как для се -, так и для р-фазы и приравняв их к величине атомного объема чистой меди, а также использовав одну и ту же величину энергетического разрыва ( запрещенной зоны энергий), полученную для меди путем исследования оптических свойств ( Д 4 1 эв), Джонс рассчитал кривые зависимости плотности состояний для обеих фаз от энергии, выраженной в электронвольтах. Результаты расчетов представлены схематически) на фиг. Первый максимум на кривой плотности состояний для а-фазы появляется при величине энергии около 6 6 эв. [21]
![]() |
Образование плотной складки в результате структурной перестройки.| Обратимый переход из кон-формации плотной складки в конфор-мацию рыхлой складки. [22] |
Лорицен и Пассалья [21] развили детальную теорию образования монокристаллов в предположении, что стандартное отклонение толщины кристалла от среднего значения составляет 8 - 14 А. Это означает, что поверхность монокристалла, по крайней мере в момент его образования, является шероховатой. Следовательно, энергетические свойства этой шероховатой поверхности необходимо описывать в терминах кинетической поверхностной энергии. [23]
В 1937 г. Джонс разработал детальную теорию фазовой границы а - р в системе Си - Zn, в которой за твердым раствором а с кубической гранецентрировэнной решеткой следует промежуточная фаза р с кубической объемноцентрированной решеткой. [24]
Однако и после того, как будет разработана детальная теория необратимых процессов, термодинамика этих процессов сохранит большое значение, которое можно сравнить со значением термодинамики обратимых процессов, ибо она позволит решать, какие результаты зависят от конкретных предположений о механизме микроскопических процессов, например, от предположений о характере молекулярных взаимодействий, и какие выводы имеют универсальное значение. [25]
Для определения сечения рассеяния быстрых нейтронов протонами необходима детальная теория взаимодействия нейтрона и протона. [26]
Чтобы на основе такой геометрии катастроф переключения построить детальные теории конкретных явлений морфогенеза, потребуются столь же напряженные усилия на стыке двух наук, каких потребовала модель гаструляции Зимана и Кука, однако дело стоит того. Заметим здесь снова, что мы говорим о приложении не списка Тома, а томистских методов. Единственная математика, которой можно надежно пользоваться, не понимая рассуждений, на которых она основана, это таблица умножения, но даже и здесь такое использование вслепую ведет к неэффективности. [27]
Для получения общей формулы для Сг, пригодной при всех энергиях, необходима детальная теория ядерных сил. [28]
Поэтому высказанное выше утверждение о возможности описания ядерных процессов в области малых энергий без детальной теории ядерных сил оказывается справедливым, если длина волны частиц значительно больше, чем радиус действия ядерных сил. [29]
Следует подчеркнуть, что метод изменения свойств полупроводников с помощью бомбардировки нуклонами возник очень недавно и детальной теории его еще не существует. [30]