Излагаемая теория

Cтраница 1

Излагаемая теория отвечает первому не исчезающему приближению теории возмущений. [1]

Излагаемая теория принадлежит И. М. Лифшицу и В. [2]

Излагаемая теория обладает принципиальным недостатком. [3]

Излагаемая теория легко обобща стел на нестационарные процессы и физически реализуемые фильтры. [4]

Температурный ход спонтанного иамагииченья изотропной двухмерной решетки. [5]

Излагаемая теория встречается со значительными математическими трудностями. Если бы удалось провести такое рассмотрение для неизотропной решетки, то оно могло бы быть использовано при исследовании растяжения полимерной сетки. [6]

Схема энергетических зон полупроводника. J. i-наибольшее значение энергии в валентной зоне. ES - наименьшее значение анергии в зоне проводимости. Д. ES - Ei - ширина запрещенной зоны. Яд - энергетический уровень расположения доноров. [7]

Излагаемая теория представляет собой грубую модель, которая дает некоторое физическое представление о процессе электропроводности. [8]

Излагаемая теория, однако, может быть обобщена н на тот случай, когда электрон-электронное взаимодействие учитывается. [9]

Излагаемая теория основана преимущественно на гармонической модели кристалла, но кратко показаны также эффекты, возникающие вследствие ангармоничности. [10]

Излагаемая теория тесно связана с приложениями и обязана им своим возникновением. [11]

Излагаемые теории зародились в начале настоящего столетия в трудах классиков математики Гильберта и Пуанкаре; они были существенно продвинуты в начале 20 - х годов трудами Нетера и Карлемана и переживают период бурного развития в течение последних 20 лет. [12]

Излагаемая теория отвечает первому не исчезающему приближению теории возмущений. Отсутствие члена oog означает, что полное ( просуммированное по поляризациям фотона и вторичного электрона) сочснке излучения ке зависит от поляризации падающего электрона. [13]

Излагаемая теория тесно связана с приложениями и обязана им своим возникновением. [14]

Страницы: 1 2 3 4