Рассматриваемая теория

Cтраница 2

Рассматриваемая теория переноса скалярной субстанции, как и теория переноса импульса, содержит ряд эмпирических констант. AY и Aivt могут быть даны оценочные значения, которые впоследствии могут быть уточнены на основе соответствующих экспериментальных данных, касающихся статистических характеристик турбулентного теплообмена. [16]

Поскольку рассматриваемая теория носит феноменологический характер, данное допущение ( как и допущение, касающееся закона массообмена между проточными и застойными зонами) обосновывается согласием теории с экспериментом. [17]

Однако рассматриваемая теория не дает возможности определить значение R. [18]

Хотя рассматриваемая теория страдает некоторыми недостатками, она удовлетворительно учитывает наличие окружающей среды. Именно это обстоятельство, по-видимому, не принимается во внимание большинством других теорий. Простая модель сферической ямы с Ro, равным параметру решетки матрицы, правильно отражает особенности энергий F-полос. Если электрон заключен внутри полости как в основном, так и в возбужденном состояниях, то детальный учет поляризации окружающей среды не играет особенно важной роли при интерпретации оптических спектров, поскольку среда оказывает почти одинаковое влияние на основное и возбужденное состояния. На рис. IV.8 дается сравнение этой простой формулы с данными для F-центров. [19]

Поэтому рассматриваемая теория имеет структуру, идеальную для эмпирической модели, так как параметры можно выбрать путем подгонки под экспериментальные данные уже после проведения расчетов. [20]

Ранее рассматриваемая теория активного линейного четырехполюсника может быть применена ко всем схемам на кристаллических триодах при условии, что можно получить четыре параметра четырехполюсника. Поэтому определение этих параметров для различных схем включения кристаллического триода является наиболее важным. Полученные параметры могут быть подставлены в уравнения, выведенные из теории цепей. Затем простым алгебраическим путем, который будет показан в 3 - й главе, можно легко получить режим схемы. Параметры Т - образной эквивалентной схемы с общей базой za, z5, ZK и zm или параметры эквивалентной схемы с общим эмиттером га, гб, zd и zm обычно используют в качестве основных постоянных кристаллического триода. Из этих основных постоянных кристаллического триода могут быть получены г-параметры кристаллического триода для трех схем включения. [21]

В рассматриваемой теории предполагается, что механизм активации в процессе диффузии такой же, как и в процессе внутреннего трения и что существует зависимость между энергией активации и внутренней энергией испарения. По Эйрингу, молекулы диффундирующего вещества проникают в промежутки - дыры - между молекулами растворителя. Для образования этих промежутков необходим некоторый расход энергии; это и есть энергия активации, зависящая от природы растворителя и размеров образующегося свободного пространства. Диффузия крупных молекул требует больших промежутков, которых меньше, чем малых, поэтому диффузия крупных молекул идет медленнее. По этой теории энергия активации процесса образования свободных пространств в растворителе пропорциональна теплоте испарения растворителя. [22]

В рассматриваемой теории принимается, что толщина слоя велика по сравнению с радиусом трубы ( цифровые данные см. [ 53, стр. [23]

В рассматриваемой теории пион может распадаться на два фотона, диссоциируя сначала на протон-антипротонную пару, которая затем испускает два фотона. [24]

Некоторые реакции, протекающие при бомбардировке атомных ядер. [25]

Согласно рассматриваемой теории, в ядре при этом происходит превращение нейтрона в протон, в результате чего ядро становится более устойчивым. [26]

Согласно рассматриваемой теории, степень гетерогенности поверхности должна влиять на форму кривых осаждения. Чем больше разница в энергиях адсорбции между наиболее активными и наименее активными участками поверхности, тем более растянутой должна быть кривая и тем больше должен быть ее наклон к оси абсцисс. В случае поверхности однородной в энергетическом смысле осаждение не должно происходить совершенно до достижения значения критического потенциала, но затем кривая должна подниматься почти перпендикулярно к оси абсцисс. Это действительно наблюдалось [27] для случая выделения висмута на ртути - металле, обладающем, как известно, почти идеально равной поверхностью. [27]

Спектр поглощения комплекса иода с бензолом в я-гептане. [28]

В рассматриваемой теории принято считать, что как энергия связи, так и энергия перехода в возбужденное состояние с переносом заряда определяются главным образом величиной энергии, необходимой для осуществления переноса электрона от донора к акцептору. Можно видеть, что в случае, когда донор имеет небольшой потенциал ионизации, а сродство акцептора к электрону достаточно велико, эта величина будет очень мала. [29]

Согласно рассматриваемой теории, степень гетерогенностм поверхности должна влиять на форму кривых осаждения. Чем: больше разница в энергиях адсорбции между наиболее активными и наименее активными участками поверхности, тем более-растянутой должна быть кривая и тем больше должен быть, ее наклон к оси абсцисс. В случае поверхности однородной в энергетическом смысле осаждение не должно происходить, совершенно до достижения значения критического потенциала, но затем кривая должна подниматься почти перпендикулярно к оси абсцисс. Это действительно наблюдалось [27] для случая выделения висмута на ртути - металле, обладающем, как известно, почти идеально ровной поверхностью. [30]

Страницы: 1 2 3 4