Зонная теория

Cтраница 3

Зонная теория объясняет полупроводниковые св-ва твердых тел на основе одноэлектронного приближения и распределения электронных энергетич. Следующая по энергии разрешенная зона, уровни к-рой не заполнены электронами-зона проводимости. [31]

Зонная теория, хорошо описывающая многие физические свойства кристаллов, довольно часто используется для объяснения тонкой структуры рентгеновских полос эмиссии и поглощения. Однако такой подход требует дополнительной информации относительно доли участия в переходах электронов s -, p - или d - симметрии. Кроме того, необходимо принять условие, по которому спектры испускания обязаны переходам только из занятых состояний. [32]

Зонная теория позволяет охватить все типы электронной проводимости твердых тел. Мы видели ( см. § 4 этой главы), что изоляторы в отличие от металлов имеют полностью заполненную низшую зону. [33]

Зонная теория); при темп-ре О К полностью заполнена валентными электронам. [34]

Монокристалл кремния, полученный вытягиванием из расплава. [35]

Зонная теория ( § 50) показывает, что изоляторы и полупроводники в отличие от металлов не содержат частично заполненных энергетических зон. Проводимость может возникнуть в них только в результате частичного перехода электронов из валентной зоны в ближайшую пустую зону. Энергетический интервал между этими зонами называют запрещенной зоной, так как в этом интервале энергии электроны не могут находиться. Количество энергии, необходимой для указанного перехода, называют обычно шириной запрещенной зоны и выражают в электрон-вольтах. [36]

Зонная теория объясняет многие свойства металлических кри-сталлов - различных элементов. При этом для непереходных элементов важное значение имеет перекрывание s - и р-зон, в случае переходных s - и d -, s - и f - зон, а также их ширина и относительное расположение. [37]

Структура ковалентных связей в решетке четырехвалентных атомов ( алмаз, германий, кремний и др. с примесями III группы ( In и V группы ( AS. [38]

Зонная теория доказывает, что уровни до-норных и акцепторных примесей находятся в запрещенной зоне. Так как энергия, которую нужно сообщить электрону, чтобы перевести его с донорного уровня в зону проводимости, меньше, чем ширина запрещенной зоны, уже при небольших температурах в зоне проводимости появляются свободные электроны. Аналогично электроны валентной зоны могут переходить на акцепторные уровни, образуя дырки в этой зоне. Проводимость, вызванная введенными примесями, называется примесной проводимостью. [39]

Зонная теория - теория, объясняющая электрические свойства металлов, полупроводников и диэлектриков с позиций квантовой механики. Важным понятием является энергетическое состояние электрона: совокупность его потенциальной и кинетической энергии. [40]

Зонная теория), связанный с одновременным выделением значительной энергии. Более типична рекомбинация через так называемые ловушки. При этом электрон сна - чала переходит из зоны проводимости на промежуточный уровень, находящийся внутри запрещенной зоны ( наличие таких уровней, называемых ловушками, связано со структурным несовершенством кристалла), а спустя некоторое время происходит заключительный этап рекомбинации - переход электрона из ловушки в дырку. Ввиду того что у поверхности кристалла наблюдаются особенно сильные нарушения структуры ( см. Поверхностные явления), здесь концентрация ловушек особенно высока и зачастую поверхностная рекомбинация превалирует над рекомбинацией в объеме. [41]

Элементарная ячейка пространственной кристаллической решетки. г и г 2 векторы трансляции с Л, Л2 и nj. [44]

Зонная теория представляет собой приложение одноэлектронной модели к кристаллам. Она эквивалентна методу МО для молекул. Однако молекулярные орбитали идеального кристалла должны удовлетворять условию так называемой трансляционной симметрии, что несколько видоизменяет их характер. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5