Cтраница 4
Теория Волькенштейна, построенная на основе зонной теории твердого тела, позволяет объяснить с единой точки зрения явление хемосорбции на полупроводниках. Она также рассматривает влияние на активность катализатор а таких факторов, от которых зависит электронная структура контактов, и, таким образом, облегчает понимание механизма модификации катализаторов. [46]
![]() |
Энергия электрона в кристаллической решетке, приведенная к первой зоне Бриллюэна.| Структура энергетических зон Ое, Si и. [47] |
Изложенная выше классификация основана на выводах зонной теории твердого тела. Зонная теория базируется на так называемом одноэлектронном приближении ( приближении Хартри-Фока), при котором свойства твердого тела объясняются на основании изучения особенностей поведения одного электрона, а влияние остальных электронов и ионов кристаллической решетки учитывается введением усредненного поля, создаваемого всеми электронами и ионами кристалла. При этом полностью не учитывается корреляция движения различных электронов. В случае наиболее широко распространенных полупроводников ( Ge, Si, CaAs, QaP, InSb) и чистых металлов одно-электронное приближение дает хорошие результаты. [48]
Теория Волькенштейна, построенная на основе зонной теории твердого тела, позволяет объяснить с единой точки зрения явление хемосорбции на полупроводниках. Она также рассматривает влияние на активность катализатора таких факторов, от которых зависит электронная структура контактов, и, таким образом, облегчает понимание механизма модификации катализаторов. [49]
Используя аналогию между оптикой тонких пленок и электронной зонной теорией твердого тела, нетрудно показать существование мод, локализованных вблизи границ раздела многослойной и однородной сред. Аналогично тому, как поверхностные состояния описывают примеси вблизи границ твердого тела, особые волны могут быть возбуждены и вблизи границ раздела мультислоя. [50]
Количественный анализ полупроводников и полупроводниковых приборов базируется на зонной теории твердого тела. [51]