Медный теплоотвод
Cтраница 1
 |
Принципиальная схема усилителя на транзисторе 2N1719 с мощностью на выходе 7 5 вт ( частота 400 гц. [1] |
Медный теплоотвод размером 76 2X76 2x3 3 мм удовлетворяет данному требованию. [2]
 |
Принципиальная схема усилителя на транзисторе 2N1722 с мощностью на выходе 35 вт ( частота 400 ги. [3] |
Транзисторы Т2 и Т3 помещены на медном теплоотводе с тепловым сопротивлением 40 С / вт размером 76 2X76 2X2 мм. [4]
 |
Конструктивное оформление точечного германиевого диода типа Д1. [5] |
Если требуется рассеять тепла больше, чем позволяет ножка, к ней крепят медный теплоотвод. [6]
 |
Схемы конструкции силовых кремниевых вентилей. [7] |
Отказы при длительных нагрузках могут быть вызваны расплавлением припоя в соединениях кремниевого диска с вольфрамовыми термокомпенсаторами, в соединениях этих компенсаторов с медным теплоотводом, а также старением припоев и усталостной деформацией кристаллической решетки кремния из-за периодических циклов нагрева-охлаждения. Температура перехода в кремниевых вентилях ограничивается на уровне ПО-140, а в некоторых случаях до 180 С. Поэтому, например, для тиристора Т25 при естественном охлаждении допускается предельный номинальный ток 10 А, а при принудительном охлаждении со скоростью охлаждающего воздуха и3 м / с-25 А. [8]
Так как кристалл кремния столь небольшой толщины механи-чески непрочен, то во избежание деформаций и трещин при колеба-ниях рабочей температуры к кристаллическому диску ( до его присоединения к медным теплоотводам) припаиваются снизу и сверху пластинки 3 из никелированного вольфрама или молибдена, коэффициент расширения которых близок к коэффициенту расширения кремния. Эти пластины называют термокомпенсирующими. [9]
Усилитель осциллографа типа 475 состоит из двух выходных транзисторов, выполненных в виде отдельных кристалликов, и одной монолитной интегральной схемы, помещенных для улучшения отвода тепла на подложку из окиси бериллия. Корпус микросхемы снабжен медным теплоотводом и привинчивается к шасси прибора. [10]
На основе синтетических полупроводниковых монокристаллов алмаза уже в настоящее время возможно изготовление макетных образцов некоторых перспективных для электронной техники приборов и устройств. К ним относятся: малогабаритный резистор объемно-поверхностного действия в широком диапазоне сопротивлений с температурным его уходом не более 2 %, в интервале 210 - 670 К и рассеиваемой мощностью не менее 0 5 Вт; малоинерционный термодатчик с температурным коэффициентом сопротивления до 200 Ом / градус в интервале от 210 до 670 К, устойчивый к агрессивным средам; люминесцентный источник света с выходом, например, голубого свечения до 20 %; теплоотводящее устройство на основе монокристалла алмаза с пониженным содержанием азота и других ростовых дефектов для малогабаритных полупроводниковых приборов с эффективностью большей по сравнению с медными теплоотводами. [11]
Требование особо высокой чувствительности к болометру не предъявлялось, так как задача облегчалась огромными уровнями радиации атомного взрыва, основным требованием являлось быстродействие - постоянная времени болометра была доведена до 50 мксек. Собственно болометр состоит из трех элементов: термочувствительной металлической пленки, теплоотвода и разделяющего их изолирующего слоя. Золотая пленка толщиной 0 1 мк нанесена на тонкую подложку, являющуюся электрическим и тепловым изолятором между золотой пленкой и медным теплоотводом. Материалом подложки служит твердый раствор моноксида кремния. Третий элемент болометра - теплоотвод, выполнен в виде массивного медного бруска. Наличие теплоотвода определяет значительное уменьшение тепловой постоянной времени болометра, кроме того, медный брусок является прочной основой для хрупкой пленки. Обе пленку - металлическая и диэлектрическая - наносятся на медную основу испарением в вакууме. Электрические / контакты выполняются из сплава олова, свинца и индия. [12]
Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки и паяльником. При пайке рекомендуется применять плоский медный теплоотвод шириной не менее 2 мм и толщиной не менее 2 мм. Разрешается соединение микросхем с элементами аппаратуры различными способами, исключающими нагрев микросхем до 100 С и прохождение через них электрических импульсов. [13]
Страницы: 1