Вольфрамовый диск

Cтраница 1

Вольфрамовые диски и молибденовая пластинка, обладающие близкими к кремнию температурными коэффициентами линейного расширения, уменьшают механические напряжения в кремниевом монокристалле, возникающие из-за тепловых деформаций монокристалла и контактирующих с вентильным элементом медных деталей корпуса. Диски 12, 13 и пластинка 14 являются электродами, которые соединяют с предварительно металлизованными поверхностями полупроводникового элемента при помощи пайки. [1]

Нижний вольфрамовый диск припаивается к медному основанию 3, которое изготавливается совместно с резьбовой шпилькой 4 для крепления в охладителе. В основании имеется кольцевой паз, в который перед установкой крышки закладывается фторопластовая прокладка, обеспечивающая при завальцовке необходимую герметизацию прибора. [2]

Подготавливают вольфрамовые диски для оснований р - п-перехода. Нижний диск отжигают при температуре 1100 С в водородной среде, а верхний после отжига шлифуют и никелируют, а затем опять отжигают. [3]

Спаивают кремниевый диск с вольфрамовыми дисками с помощью оловянистых припоев, применяя бескислотные флюсы. [4]

Напайку пластинки кремния на кристаллодержатель через вольфрамовые диски с успехом используют для компенсации механических напряжений, возникающих в полупроводниковом материале при резких изменениях температуры вследствие разности теплового коэффициента расширения кремния и кристал-лодержателя. [5]

Способы герметизации силовых полупроводниковых приборов. [6]

Полупроводниковый элемент 1 расположен между двумя вольфрамовыми дисками 2 и 3, которые соединены с верхним 4 и нижним 8 основаниями прибора. Для изоляции тиристорной структуры основания 4 и 8 сварены с изолятором, состоящим из металлических 9 и 11 и стеклянного 10 колец. К внешним металлическим кольцам 11 присоединяются пружинящие шайбы 12, которые при сборке свариваются между собой. [7]

Схема реактора. [8]

При анализе полупроводников реактор устанавливали таким образом, чтобы вольфрамовый диск, помещенный под дно реактора и предназначенный для предварительного нагрева полупроводников до температуры собственной проводимости, находился в зоне нагрева. [9]

На рис. 3 показаны графическая зависимость показаний термопар, установленных на вольфрамовом диске 25 мм от выпрямленного тока ТВС, испытанных по изображенной на рис. 4 схеме. [10]

Приспособление для отливки в вакууме. [11]

Качество соединения отливкой повышается, если производить ее в вакууме, а поверхность вольфрамового диска предварительно методом возгонки ( см. рис. 9 - 4 - 10) покрыть слоем меди. [12]

Поскольку тепловой поток от кремниевой пластины в направлении вывода имеет малую величину, то температура, обычно замеряемая термопарой, на верхнем вольфрамовом диске будет практически соответствовать температуре р-п перехода. [13]

Пористый вольфрам скрепляется с молибденовым цилиндром дуговой или контактной сваркой так, чтобы камера 5 сообщалась с внешним пространством только через поры вольфрамового диска. [14]

К основным производственным процессам относятся: резка пластин и слитков, ультразвуковая вырезка, шлифовка и очистка дисков кремния, пластин, отжиг вольфрамовых дисков, механическая обработка деталей вентилей, гальванообработка и узловая сборка, намотка и пропитка намоточных изделий, получение р-н структур выпрямительного элемента, химическая вырезка выпрямительного элемента, сборка, защита и контроль выпрямительного элемента, диффузия, эпитаксия, фотолитография, сборка и испытание моноблока и герметизация компаундов, испытание, окраска и упаковка. [15]

Страницы: 1 2 3